SiC晶须

SiC 晶须（SiCw）是一种直径为纳米级至微米级的具有高度取向性的单晶纤维，晶体结构与金刚石相类似，晶体内化学杂质少，无晶粒边界，晶体结构缺陷少，结晶相成分均一。其具有高熔点、低密度、高强度、高弹性模量、低热膨胀率以及耐磨、耐腐蚀、抗高温氧化能力强等特性。主要用于需要高温高强应用材质的增韧场合。

SiC晶须已广泛用于增韧金属基、陶瓷基和聚合物基复合材料。
（1）SiCw增韧金属基复合材料具有轻质、高强度、耐热、低的热膨胀系数、脱气性好等优点，广泛应用于航空航天和军事领域，如飞机蒙皮、翼面、垂尾、导弹、超轻空间望远镜等；还可用于汽车、机械等部件及体育运动器材等。
（2）SiCw增韧陶瓷基复合材料主要有Al2O3、ZrO2、莫来石陶瓷等，随着复合技术的不断成熟，又出现了SiCw增韧Si3N4、ZrB2以及玻璃陶瓷等复合材料。适用于制造各种用途的碳化硅磨具和陶瓷窑具以及耐火材料等。
（3）SiCw增韧聚合物复合材料：SiCw作为聚合物材料的增韧补强剂时既不增加熔体粘度，又能显著提高材料的韧性和延伸率，可用于制备形状复杂、精度高、表面光洁度高的零部件。

SiC晶须可以通过以下几个途径合成：
（1）化学气相沉积法：合成SiCw的气相反应法中化学气相沉积法是使用最为广泛的，而且用这个方法制备出的SiC纯度非常得高。此法是通过H,等载气把反应物带入反应室中的，然后在过渡金属的催化作用下，在石墨、单晶硅、碳化硅基体上生成SiCw。
（2）CVD法：以有机硅化物为原料，如以Si(CH)CICH SiCl,等为反应物，加热至1100-1500℃使之发生热分解或者用氢还原反应物来制备SiCw。
（3）电弧放电法：以含催化剂(铁)的碳化硅棒为阳极，以石墨为阴极，在低气压下发生电弧放电反应合成SiCw。用这种方法生成的SiCw，直径一般在20-60nm之间，表面很光滑，而且在SiCw的顶端还有Fe纳米粒子的存在。此法所用到的原料都很常见而且设备简单、成本也不高，有大批量生产SiCw的潜力。