GE公司在纽约州建立碳化硅封装中心

[据化合物半导体网站2015年8月21日报道] 纽约州州长安德鲁·科莫已宣布，通用电气（GE）全球研发中心将作为纽约州立大学纳米科学与工程理工学院计算机芯片商业化中心（QUAD C）的主要租户。GE公司携手纽约州立大学，将建立美国首个基于GE公司碳化硅技术的功率电子制造中心。

GE公司高级副总裁兼首席技术官马克·利特表示，“与纽约州和位于奥尔巴尼的纽约州立大学理工学院，到目前的尤蒂卡一起，我们正在创造一个碳化硅通道，成为功率电子下一次革命的中心。在尤蒂卡，它将重点从计算机芯片商业化扩展到创建美国首个基于GE公司碳化硅技术的功率电子制造中心”。

此外，科莫透漏，模拟半导体和传感器公司AMS AG公司将投资20亿美元，支持尖端的，36万英尺，200/300纳米晶圆制造设施，以制造模拟芯片。

这些公-私合作关系标志着美政府15亿美元纳米尤蒂卡倡议下一阶段的启动。

先进的封装技术对更快、更强大的计算机芯片发展，以及用于功率电子领域的碳化硅芯片至关重要。封装设施是纽约功率电子制造协会的重要组成部分，该协会是由政府资助5亿美元支持的公私半导体研究合作伙伴关系，包括100多家企业。协会位于纽约州立大学Poly Megaplex大楼中，领导者包括GE公司和IBM公司，正在推动整个纽约州北部材料领域协调和创造就业。

QUAD C的扩展包括先进的洁净室、实验室、动手教育和劳动力培训设施，以及面积25.3万平方英尺的综合办公室。该洁净室将是美国首个两层的5.6万平方英尺的洁净室，比最初计划的面积大5倍。

按照纽约州长创新驱动的经济发展模式，公共资金将不会提供给私人公司。纽约州将为QUAD C和Marcy纳米中心投资2.5亿美元，以支持关键设备和基础设施的改善。美国政府将拥有这些设施，并纽约州立大学Poly来管理这些设施。这些国家投资将推动莫霍克谷高技术经济生态系统，吸引更多的纳米技术领域就业机会和供应链企业，以支持和促进纳米尤蒂卡倡议。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所 宋文文）

扩展阅读：
碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，表面氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度接近金刚石，热稳定性好，2127℃时由β-碳化硅转变成α-碳化硅，α-碳化硅在2400℃仍然稳定。对氢氟酸水溶液和浓硫酸稳定，对浓氢氟酸与硝酸的混合酸或磷酸则不稳定。在空气氛中被熔融的碱分解。它分为人工合成碳化硅和天然碳化硅。天然碳化硅称为碳硅石，主要赋存于金伯利岩及火山角闪岩中，但其量甚少，无开采价值。

信息来源：中国国防科技信息网。