氮化镓
中文名称:氮化镓
英文名称:GALLIUM NITRIDE
CAS号:25617-97-4
分子式:GaN
分子量:83.73
EINECS号:247-129-0
Mol文件:25617-97-4.mol
![氮化镓 结构式](https://img.chemicalbook.com/CAS/GIF/25617-97-4.gif)
氮化镓 性质
熔点 | 800 °C (lit.) |
---|---|
沸点 | decomposes at >600℃ [KIR78] |
密度 | 6.1 |
折射率 | 2.70 (27℃) |
形态 | 粉末 |
颜色 | 粘黄色 |
水溶解性 | Slightly soluble in hot concentrated sulfuric acid and hot conc. sodium hydroxide. Insoluble in water and dilute acids. |
晶体结构 | Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc |
敏感性 | Moisture Sensitive |
Merck | 14,4351 |
稳定性 | 在干燥氩气下储存。对水和湿气敏感。与强氧化剂不相容。 |
InChI | InChI=1S/Ga.N |
InChIKey | JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N |
SMILES | N#[Ga] |
CAS 数据库 | 25617-97-4(CAS DataBase Reference) |
EPA化学物质信息 | Gallium nitride (GaN) (25617-97-4) |
氮化镓 用途与合成方法
第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表,是5G时代的主要材料,其中氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的市场和发展空间最大。
氮化镓作为第三代半导体材料,有更高的禁带宽度,是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系,下游应用包括微波射频器件(通信基站等),电力电子器件(电源等),光电器件(LED照明等)。不过,第三代半导体材料中,受技术与工艺水平限制,氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战,其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底,通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。
实际上,氮化镓(GaN)技术并不是一种新的半导体技术,自1990年起就已经常被用在发光二极管中,但成本昂贵。从制造工艺上来说,氮化镓没有液态,不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶,需要纯靠气体反应合成,而氮气性质非常稳定,镓又是非常稀有的金属(镓是伴生矿,没有形成集中的镓矿,主要从铝土矿中提炼,成本比较高),而且两者反应时间长,速度慢,反应产生的副产物多。生产氮化镓对设备要求又苛刻,技术复杂,产能极低,众多因素叠加影响导致氮化镓单晶材料很贵。
氮化镓作为第三代半导体材料,有更高的禁带宽度,是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系,下游应用包括微波射频器件(通信基站等),电力电子器件(电源等),光电器件(LED照明等)。不过,第三代半导体材料中,受技术与工艺水平限制,氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战,其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底,通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。
实际上,氮化镓(GaN)技术并不是一种新的半导体技术,自1990年起就已经常被用在发光二极管中,但成本昂贵。从制造工艺上来说,氮化镓没有液态,不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶,需要纯靠气体反应合成,而氮气性质非常稳定,镓又是非常稀有的金属(镓是伴生矿,没有形成集中的镓矿,主要从铝土矿中提炼,成本比较高),而且两者反应时间长,速度慢,反应产生的副产物多。生产氮化镓对设备要求又苛刻,技术复杂,产能极低,众多因素叠加影响导致氮化镓单晶材料很贵。
类别
有毒物品 毒性分级
低毒 急性毒性
口服-小鼠LDL0: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LDL0: 5000 毫克/公斤 储运特性
库房通风低温干燥 灭火剂
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水 安全信息
安全说明 | 22-24/25 |
---|---|
WGK Germany | 3 |
RTECS号 | LW9640000 |
F | 10-21 |
TSCA | Yes |
毒性 | mouse,LDLo,intraperitoneal,5gm/kg (5000mg/kg),Gigiena Truda i Professional'nye Zabolevaniya. Labor Hygiene and Occupational Diseases. Vol. 9(6), Pg. 45, 1965. |
氮化镓 价格(试剂级)
更新日期 | 产品编号 | 产品名称 | CAS号 | 包装 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|
2025-02-05 | 040218 | 氮化镓(III), 99.99% (metals basis) | 25617-97-4 | 10g | 3031 |
2025-02-05 | 040218 | 氮化镓(III), 99.99% (metals basis) | 25617-97-4 | 50g | 13515 |
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中文名称:氮化镓
英文名称:GALLIUM NITRIDE
CAS:25617-97-4
纯度:≥99.99%~99.9999%
包装信息:1000G;500G;100G
备注:可根据客户特殊要求,提供定制化产品和包装。
库存量:>1000g
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产品介绍:
中文名称:氮化镓
英文名称:GALLIUM NITRIDE
CAS:25617-97-4
纯度:99% HPLC
包装信息:1Mg ; 5Mg;10Mg ;100Mg;250Mg ;500Mg ;1g;2.5g ;5g ;10g
阿法埃莎(中国)化学有限公司
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中文名称:氮化镓(III), 99.99% (metals basis)
英文名称:GalliuM(III) nitride, 99.99% (Metals basis)
CAS:25617-97-4
包装信息:10g
备注:040218
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中文名称:氮化镓
英文名称:Gallium Nitride
CAS:25617-97-4
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中文名称:氮化镓
英文名称:GALLIUM NITRIDE
CAS:25617-97-4
纯度:99.99%(Metalsbasis)
包装信息:10g,250g,50g
备注:国产化学试剂、精细化学品、医药中间体、材料中间体