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25617-97-4

供应商 相关产品 基本信息 物理化学性质 理化性质 安全数据 常见问题列表 25617-97-4(安全特性,毒性,储运) 知名试剂公司产品信息 氮化镓价格(试剂级)

产品图片

基本信息

中文
氮化镓
英文名称
GALLIUM(III) NITRIDE
GALLIUM NITRIDE
galliummononitride
galliumnitride(gan)
Gallium(III) nitride, 99.99+% metals basis
GALLIUM NITRIDE POWDER
99.99%(metalsbasis)
Gallium Nitride, -100 Mesh
Germanium selenide, 99.99% (metals basis)
Nitrilogallium
CAS
25617-97-4
中文名称
氮化镓
硒化锗
氮化镓, 99.99% (METALS BASIS)
EINECS 编号
247-129-0
分子式
GaN
MDL 编号
MFCD00016108
分子量
83.73
MOL 文件
25617-97-4.mol

物理化学性质

熔点 
800 °C(lit.)

密度 
6.1
敏感性 
Moisture Sensitive
Merck 
14,4351

理化性质

沸点 
decomposes at >600℃ [KIR78]
折射率 
2.70 (27℃)
形态
Powder
颜色
Yellow
水溶解性 
Slightly soluble in hot concentrated sulfuric acid and hot conc. sodium hydroxide. Insoluble in water and dilute acids.
稳定性
Stability Store under dry argon. Water and moisture sensitive. Incompatible with strong oxidizing agents.
CAS 数据库
25617-97-4(CAS DataBase Reference)

安全数据

安全说明 
S22-S24/25
WGK Germany 
3

RTECS 
LW9640000

RTECS号
LW9640000


10-21
TSCA 
Yes

常见问题列表

第三代半导体材料
第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表,是5G时代的主要材料,其中氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的市场和发展空间最大。
氮化镓作为第三代半导体材料,有更高的禁带宽度,是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系,下游应用包括微波射频器件(通信基站等),电力电子器件(电源等),光电器件(LED照明等)。不过,第三代半导体材料中,受技术与工艺水平限制,氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战,其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底,通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。
实际上,氮化镓(GaN)技术并不是一种新的半导体技术,自1990年起就已经常被用在发光二极管中,但成本昂贵。从制造工艺上来说,氮化镓没有液态,不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶,需要纯靠气体反应合成,而氮气性质非常稳定,镓又是非常稀有的金属(镓是伴生矿,没有形成集中的镓矿,主要从铝土矿中提炼,成本比较高),而且两者反应时间长,速度慢,反应产生的副产物多。生产氮化镓对设备要求又苛刻,技术复杂,产能极低,众多因素叠加影响导致氮化镓单晶材料很贵。

25617-97-4(安全特性,毒性,储运)

储运特性
库房通风低温干燥
毒性分级
低毒
急性毒性
口服-小鼠LDL0: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LDL0: 5000 毫克/公斤
类别
有毒物品
灭火剂
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水

知名试剂公司产品信息

氮化镓价格(试剂级)

氮化镓价格(试剂级)
更新日期产品编号产品名称包装价格
2021/02/10040218氮化镓, 99.99% (metals basis)
Gallium(III) nitride, 99.99% (metals basis)
10g2086元
2021/02/10040218氮化镓, 99.99% (metals basis)
Gallium(III) nitride, 99.99% (metals basis)
50g11748元
2021/02/10040218氮化镓, 99.99% (metals basis)
Gallium(III) nitride, 99.99% (metals basis)
250g45323元

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