氮化镓新闻专题

氮化镓（GaN）是氮和镓的化合物，是一种III族和V族的直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。

Ⅲ族氮化镓多元系材料属于直接带隙的半导体材料，带隙可以从0.7eV连续 调节到6. 2eV，颜色覆盖从红外到紫外波长，在光电子如蓝光、绿光、紫外光发光二极管 (LED)、短波长激光二极管（LD)，紫外探测器、布拉格反射波导等方面具有重要的应用和发 展。另外氮化镓（GaN)材料作为第三代半导体材料代表之一，具有直接带隙、宽禁带、高饱 和电子漂移速度、高击穿电场和高热导率、优异的物理化学稳定性等优异性能，在微电子应 用方面也得到了广泛的关注，可以制作高温、高频和大功率器件，如高电子迁移率晶体管 (HEMT)、异质结双极晶体管（HBT)等。

进入90年代以后，第二代半导体砷化镓、磷化铟等具有高迁移率的半导体材料逐渐出现，使得有线通讯技术迅速发展。随后在本世纪初，碳化硅，氮化镓等具有宽禁带的第三代半导体材料也相继问世，将当代的信息技术推向了更高的台阶。第三代半导体材料的禁带宽度很大，可以达到2.3eV以上，如氮化镓的禁带宽度高达3.39eV，氮化铝甚至超过了6eV。氮化镓作为第三代半导体的代表，其化学性质非常稳定，在室温下不溶于水，酸和碱，且融点高达1700℃，硬度较大。由以上基本性质就可知用氮化镓做成的材料具有耐高温，耐酸碱腐蚀和抗外力变形等优越的性能。目前，氮化镓和氮化镓基半导体材料已经成为了世界各国研究的热点。氮化镓的合成与制备方法目前对氮化镓的主要研究对象之一，单晶氮化镓薄膜和纳米氮化镓的合成方法是研究的重中之重。