氮化镓新闻专题
氮化镓生长方法
Ⅲ族氮化镓多元系材料属于直接带隙的半导体材料,带隙可以从0.7eV连续 调节到6. 2eV,颜色覆盖从红外到紫外波长,在光电子如蓝光、绿光、紫外光发光二极管 (LED)、短波长激光二极管(LD),紫外探测器、布拉格反射波导等方面具有重要的应用和发 展。另外氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料代表之一,具有直接带隙、宽禁带、高饱 和电子漂移速度、高击穿电场和高热导率、优异的物理化学稳定性等优异性能,在微电子应 用方面也得到了广泛的关注,可以制作高温、高频和大功率器件,如高电子迁移率晶体管 (HEMT)、异质结双极晶体管(HBT)等。
2021-02-05
氮化镓的应用及制备
进入90年代以后,第二代半导体砷化镓、磷化铟等具有高迁移率的半导体材料逐渐出现,使得有线通讯技术迅速发展。随后在本世纪初,碳化硅,氮化镓等具有宽禁带的第三代半导体材料也相继问世,将当代的信息技术推向了更高的台阶。第三代半导体材料的禁带宽度很大,可以达到2.3eV以上,如氮化镓的禁带宽度高达3.39eV,氮化铝甚至超过了6eV。氮化镓作为第三代半导体的代表,其化学性质非常稳定,在室温下不溶于水,酸和碱,且融点高达1700℃,硬度较大。由以上基本性质就可知用氮化镓做成的材料具有耐高温,耐酸碱腐蚀和抗外力变形等优越的性能。目前,氮化镓和氮化镓基半导体材料已经成为了世界各国研究的热点。氮化镓的合成与制备方法目前对氮化镓的主要研究对象之一,单晶氮化镓薄膜和纳米氮化镓的合成方法是研究的重中之重。
2020-03-15
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