应用 制备
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氮化铟

应用 制备
氮化铟,25617-98-5,结构式
氮化铟
  • CAS号:25617-98-5
  • 英文名:INDIUM NITRIDE
  • 中文名:氮化铟
  • CBNumber:CB5665547
  • 分子式:InN
  • 分子量:128.82
  • MOL File:25617-98-5.mol
氮化铟化学性质
  • 熔点 :~1900°
  • 密度 :6,88 g/cm3
  • 折射率 :2.92
  • 形态 :hexagonal crystals
  • 颜色 :brown hexagonal, hexane crystals, crystalline
  • 晶体结构 :Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc
  • EPA化学物质信息 :Indium nitride (InN) (25617-98-5)
安全信息
  • WGK Germany :3

氮化铟性质、用途与生产工艺

  • 应用 氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质，这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更适合用于制备高频器件，在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有非常独特的优势，尤其在在制备太赫兹器件，化学传感器、半导体发光二极管、全光谱太阳能电池等光电器件领域具有巨大的应用价值。
  • 制备 步骤S1、提供一衬底，在所述衬底上沉积一层介电薄膜； 步骤S2、对所述介电薄膜进行图案化，得到均匀排列的多个介电凸台； 步骤S3、提供一反应室，将所述形成有介电凸台的衬底放入反应室中并将所述反应室抽真空； 步骤S4、在所述介电凸台及衬底上生长缓冲层，在介电凸台的阻挡下，所述缓冲层的横向生长与纵向生长产生差异，使得所述缓冲层在每一个介电凸台的上方对应形成一个凹槽； 步骤S5、在所述缓冲层上生长氮化铟，得到分别位于所述多个凹槽中的多个氮化铟柱，每一个凹槽中对应形成一个氮化铟柱。
氮化铟上下游产品信息
上游原料
下游产品
氮化铟生产厂家
  • 公司名称：山东西亚化学有限公司
  • 联系电话：4009903999 13355009207
  • 电子邮件：3007715519@qq.com
  • 国家：中国
  • 产品数：18738
  • 优势度：57
  • 公司名称：山东西亚化学有限公司
  • 联系电话：4009903999 13395398332
  • 电子邮件：sales@xiyashiji.com
  • 国家：中国
  • 产品数：20806
  • 优势度：60
  • 公司名称：成都点纯科技有限公司
  • 联系电话：400-1166-196 18502815961
  • 电子邮件：cdhxsj@163.com
  • 国家：中国
  • 产品数：14603
  • 优势度：60
  • 公司名称：上海吉至生化科技有限公司
  • 联系电话：4009004166/18616739031 18616739031
  • 电子邮件：3007523370@qq.com
  • 国家：中国
  • 产品数：52693
  • 优势度：58
  • 公司名称：郑州阿尔法化工有限公司
  • 联系电话：+86-18339805032; +8618339805032
  • 电子邮件：alfa4@alfachem.cn
  • 国家：中国
  • 产品数：13226
  • 优势度：58
25617-98-5, 氮化铟相关搜索:
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