氧化铟

半导体功能材料氧化铟试剂级价格

氧化铟

CAS号:1312-43-2
英文名:Indium(III) oxide
中文名:氧化铟
CBNumber:CB8418425
分子式:In2O3
分子量:277.63
MOL File:1312-43-2.mol

氧化铟化学性质

熔点 :2000°C
密度 :7.18 g/mL at 25 °C(lit.)
蒸气压 :<0.01 mm Hg ( 25 °C)
闪点 :13°(55°F)
储存条件 :no restrictions.
溶解度 :Soluble in hexane and toluene. Insoluble in alcohols
形态 :nanopowder
颜色 :Yellow
比重 :7.179
水溶解性 :Insoluble in water.
晶体结构 :Sc2O3 type
晶系 :Cube
Merck :14,4952
空间群 :Ia3
晶格常数 :
a/nm b/nm c/nm α/o β/o γ/o V/nm3
1.0117 1.0117 1.0117 90 90 90 1.0355
暴露限值 :ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: TWA 0.1 mg/m3
稳定性 :Stable. Not flammable. Incompatible with acids.
CAS 数据库 :1312-43-2(CAS DataBase Reference)
NIST化学物质信息 :indium(III) oxide(1312-43-2)
EPA化学物质信息 :Indium oxide (In2O3) (1312-43-2)

a/nm	b/nm	c/nm	α/o	β/o	γ/o	V/nm3
1.0117	1.0117	1.0117	90	90	90	1.0355

安全信息

危险品标志 :Xi
危险类别码 :36/37/38
安全说明 :26-36
危险品运输编号 :UN1993
WGK Germany :3
RTECS号 :NL1770000
TSCA :Yes
海关编码 :2825 90 85
危险等级 :3
包装类别 :II

氧化铟 MSDS

Diindium trioxide
氧化铟

氧化铟性质、用途与生产工艺

半导体功能材料三氧化二铟作为一种n型宽带隙透明半导体纳米材料，具有许多优异的性能，已经在许多领域得到应用，比如超灵敏气体传感器、太阳能电池、液晶显示和建筑玻璃加热材料等。未表面修饰的三氧化二铟纳米晶及表面修饰的三氧化二铟纳米晶和纳米花均具有强的荧光性能和可见光透过性能，在三氯甲烷、石油醚、水等不同介质中有良好的分散性，可用作生物荧光指示剂和玻璃透明涂料。
化学性质氧化铟（亦称三氧化二铟，In2O3）为白色或黄色粉末，加热转变为红褐色。在氢气或其他还原剂存在下，加热至400～500℃可还原成金属铟或低价铟的氧化物。在高温下分解为低级氧化物。另外，在高温下可与金属铟发生反应，低温灼烧生成的In2O3虽易溶于酸，但经过高温处理得越完全就越难溶，吸湿性也消失了。三氧化二铟在赤热状态下用氢气还原时，则生成金属铟。它是一种不溶于水、像陶瓷的稳定材料。氧化铟是一种N型半导体（电子型半导体），因而可被用作集成电路的电阻元件。它还可以和p-InP、n-GaAs、n-Si及其他半导体形成异质结。
用途用作光谱纯试剂和电子元件的材料等
用途主要用于作电池原材料，荧光屏，玻璃，陶瓷，化学试剂等。
生产方法 1. 将高纯金属铟在空气中燃烧或将碳酸铟煅烧生成In2O、InO、In2O3，精细控制还原条件可制得高纯In2O3。也可用喷雾燃烧工艺制得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。
2. 将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时，温度过高的话，In2O3有热分解的可能性，若温度过低则难以完全脱水，而且生成的氧化物具有吸湿性，因此，加热温度和时间是重要的因素。另外，因为In2O3容易被还原，所以必须经常保持在氧化气氛中。
3. 将氢氧化铟在空气中，于850℃灼烧至恒重，生成In2O3，再在空气中于1000℃加热30min。其他硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟在空气中灼烧也可以制得三氧化二铟。
类别有毒物品
毒性分级低毒
急性毒性口服-大鼠LD: >10000 毫克/公斤; 口服-小鼠LDL0: 10000 毫克/公斤
储运特性库房通风低温干燥
灭火剂干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水
职业标准 TWA 0.1 毫克(铟)/立方米