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氮化铟

基本属性 应用制备 MSDS 用途与合成方法 供应商 新闻专题 相关产品
氮化铟
  • 中文名称:氮化铟
  • 英文名称:INDIUM NITRIDE
  • CAS号:25617-98-5
  • 分子式:InN
  • 分子量:128.82
  • EINECS号:247-130-6
  • Mol文件:25617-98-5.mol
  • 氮化铟
氮化铟 性质
  • 熔点 ~1900°
  • 密度 6,88 g/cm3
  • 折射率 2.92
  • 形态hexagonal crystals
  • 晶体结构Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc
  • EPA化学物质信息Indium nitride (InN) (25617-98-5)
氮化铟 用途与合成方法
  • 应用氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料,在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中,氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性,它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质,这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更适合用于制备高频器件,在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有非常独特的优势,尤其在在制备太赫兹器件,化学传感器、半导体发光二极管、全光谱太阳能电池等光电器件领域具有巨大的应用价值。
  • 制备步骤S1、提供一衬底,在所述衬底上沉积一层介电薄膜; 步骤S2、对所述介电薄膜进行图案化,得到均匀排列的多个介电凸台; 步骤S3、提供一反应室,将所述形成有介电凸台的衬底放入反应室中并将所述反应室抽真空; 步骤S4、在所述介电凸台及衬底上生长缓冲层,在介电凸台的阻挡下,所述缓冲层的横向生长与纵向生长产生差异,使得所述缓冲层在每一个介电凸台的上方对应形成一个凹槽; 步骤S5、在所述缓冲层上生长氮化铟,得到分别位于所述多个凹槽中的多个氮化铟柱,每一个凹槽中对应形成一个氮化铟柱。
安全信息
  • WGK Germany 3
MSDS信息
  • 语言:English提供商:SigmaAldrich
  • 语言:Chinese提供商:ALFA
  • 语言:English提供商:ALFA
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  • 公司名称:上海瀚鸿科技股份有限公司
  • 联系电话:021-54302127 021-54306202-
  • 产品介绍: 中文名称:氮化铟
    英文名称:Indium(III) nitride
    CAS:25617-98-5
    备注:RA10300021
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  • 公司名称:西亚化学科技(山东)有限公司
  • 联系电话:400-990-3999
  • 产品介绍: 中文名称:氮化铟(III)
    CAS:25617-98-5
    纯度:99.90% 包装信息:25g;100g;500g;1kg 备注:试剂级
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  • 公司名称:上海阿拉丁生化科技股份有限公司
  • 联系电话:400-620-6333 021-20337333-801
  • 产品介绍: 中文名称:氮化铟(III)
    英文名称:Indium(III) nitride
    CAS:25617-98-5
    纯度:99.9% metals basis 包装信息:7429RMB/5G 备注:试剂级
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  • 公司名称:上海将来实业股份有限公司
  • 联系电话:021-61552785
  • 产品介绍: 中文名称:氮化铟(III)
    英文名称:IndiuM nitride (InN)
    CAS:25617-98-5
    纯度:99.9% Metals basis 包装信息:1g; 5g
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  • 公司名称:HBCChem, Inc.
  • 联系电话:+1-510-219-6317
  • 产品介绍: 英文名称:IndiuM nitride
    CAS:25617-98-5
    纯度:98.00% 包装信息:2kg;25 kg;100kg 备注:HBC11111
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