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非晶硅太阳能电池具有制造成本低、便于大规模生产等特点，近年来得到了广泛应用，并受到人们的普遍关注。P型窗口材料的质量对太阳能电池的性能具有重要影响，改善P型材料特性是提高太阳能电池性能的有效途径。目前，非晶硅太阳能电池生产线主要用乙硼烷或者三甲基硼做掺杂剂。使用乙硼烷做掺杂剂时，材料的暗电导率和光学带隙相互 制约的现象较为严重，主要是因为乙硼烷分子结构中存在B-B键和B-H键，在气相沉积过程中，这些键的结构容易生长在薄膜材料中，导致材料缺陷态密度较高，电导率的增加抑制了光学带隙的增加。
而用三甲基硼作为掺杂剂时，分子中不存在B-B键和B-H键结构，从而有效减少了材料中的缺陷态密度，提高掺杂效率。三甲基硼稳定性好，毒性较小，制成的非晶硅太阳能电池转换率高，能制备出宽光学带隙且高电导的优质P型窗口材料。从目前发展趋势看，三甲基硼比乙硼烷在非晶硅太阳能电池制备上具有更广阔的前景。

三甲基硼主要应用于硅薄膜太阳能电池，作为P型掺杂源。目前，硅薄膜太阳能电池生产线上用三甲基硼或乙硼烷作为P型掺杂源，与乙硼烷相比，用三甲基硼掺杂可以大幅度降低P材料中的B—B键和B原子的密度，从而有效减少材料中的缺陷态密度，提高掺杂效率。由于三甲基硼稳定性好，毒性小，污染小，制成的硅薄膜太阳能电池转换率高，是能够制备出宽光学带隙且高电导的优质P型材料，从长远看有取代乙硼烷的趋势。