氮化铟
- 中文名称:氮化铟
- 中文别名:氮化铟;氮化铟,99.8%(METALSBASIS);氮化铟(III);一氮化铟
- 英文名称:INDIUM NITRIDE
- CAS No:25617-98-5
- EINECS号:247-130-6
- 分子式:InN
- 产品类别:无机化工
用途
氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质，这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更适合用于制备高频器件，在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有非常独特的优势，尤其在在制备太赫兹器件，化学传感器、半导体发光二极管、全光谱太阳能电池等光电器件领域具有巨大的应用价值。