25617-98-5
中文名称
氮化铟
英文名称
INDIUM NITRIDE
CAS
25617-98-5
分子式
InN
分子量
128.82
MOL 文件
25617-98-5.mol
更新日期
2026/09/21 17:23:14
结构式
基本信息
中文别名
氮化铟
一氮化铟
氮化铟(III)
氮化铟,99.8%(METALSBASIS)
一氮化铟
氮化铟(III)
氮化铟,99.8%(METALSBASIS)
英文别名
INDIUM NITRIDE
Nitriloindium(III)
Indium mononitride
indiumnitride(inn)
INDIUM(III) NITRIDE
azanylidyneindigane
IndiuM nitride (III)
INDIUM(III) NITRIDE, 99.9%
INDIUM NITRIDE ISO 9001:2015 REACH
Indium nitride, 99.8% (metals basis)
Nitriloindium(III)
Indium mononitride
indiumnitride(inn)
INDIUM(III) NITRIDE
azanylidyneindigane
IndiuM nitride (III)
INDIUM(III) NITRIDE, 99.9%
INDIUM NITRIDE ISO 9001:2015 REACH
Indium nitride, 99.8% (metals basis)
所属类别
无机化工:氮化物
物理化学性质
| 熔点 | ~1900° |
| 密度 | 6,88 g/cm3 |
| 折射率 | 2.92 |
| 形态 | 六方晶体 |
| 颜色 | brown hexagonal, hexane crystals, crystalline |
| 晶体结构 | Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc |
| InChI | 1S/In.N |
| InChIKey | NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N |
| SMILES | N#[In] |
| EPA化学物质信息 | Indium nitride (InN) (25617-98-5) |
安全数据
| WGK Germany | 3 |
| TSCA | TSCA listed |
| 存储类别 | 13 - Non Combustible Solids |
常见问题列表
应用
氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料,在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中,氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性,它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质,这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更适合用于制备高频器件,在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有非常独特的优势,尤其在在制备太赫兹器件,化学传感器、半导体发光二极管、全光谱太阳能电池等光电器件领域具有巨大的应用价值。
制备
步骤S1、提供一衬底,在所述衬底上沉积一层介电薄膜;
步骤S2、对所述介电薄膜进行图案化,得到均匀排列的多个介电凸台;
步骤S3、提供一反应室,将所述形成有介电凸台的衬底放入反应室中并将所述反应室抽真空;
步骤S4、在所述介电凸台及衬底上生长缓冲层,在介电凸台的阻挡下,所述缓冲层的横向生长与纵向生长产生差异,使得所述缓冲层在每一个介电凸台的上方对应形成一个凹槽;
步骤S5、在所述缓冲层上生长氮化铟,得到分别位于所述多个凹槽中的多个氮化铟柱,每一个凹槽中对应形成一个氮化铟柱。
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中文名称:氮化铟
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中文名称:氮化铟
英文名称:INDIUM NITRIDE
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中文名称:氮化铟(III)
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英文名称:Indium(III) nitride
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