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SiC晶须

SiC晶须,409-21-2,结构式
  • 中文名称:SiC晶须
  • 中文别名:碳化硅/纳米碳化硅;碳化硅结晶块;碳化硅溅射靶,50.8MM(2.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);碳化硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);碳化硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX3.18MM(0.125IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);金刚砂,耐火砂;碳化硅, 600 GRINDING COMPOUND, 2OZ (57G);碳化硅, 400 GRINDING COMPOUND, 2OZ (57G)
  • 英文名称:Silicon carbide
  • CAS No:409-21-2
  • EINECS号:206-991-8
  • 分子式:CSi
  • 产品类别:无机化工

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sic晶片
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包装:15*15mm厚0.35mm4H导电型方片 4英寸碳化硅晶圆单晶衬
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sic晶片
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包装:25*25mm厚0.35mm4H导电型方片 4英寸碳化硅晶圆单晶衬
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纳米碳化硅晶须
纳米碳化硅晶须
英文名称:Silicon carbide whiskers
纯度:99.9-99.999%
包装:1袋
¥680 上海
上海肖晃纳米科技有限公司
六方氮化硼晶须
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CAS:10043-11-5
英文名称:Boron nitride whiskers
纯度:99.9-99.999%
包装:1袋
¥1500 上海
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sic晶片
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包装:蔡司九孔台 九孔YLM镀膜仪扫描电镜钉型样品台支架临时
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sic晶片
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包装:25*25mm厚0.35mm4H导电型方片 4英寸碳化硅晶圆单晶衬
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氮化硅晶须;氮化硅纤维
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英文名称:Silicon nitride whisker
纯度:99.9%
包装:1件
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sic晶片
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用途
SiC晶须已广泛用于增韧金属基、陶瓷基和聚合物基复合材料。