SiC晶须
- 中文名称:SiC晶须
- 中文别名:碳化硅/纳米碳化硅;碳化硅结晶块;碳化硅溅射靶,50.8MM(2.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);碳化硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);碳化硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX3.18MM(0.125IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);金刚砂,耐火砂;碳化硅, 600 GRINDING COMPOUND, 2OZ (57G);碳化硅, 400 GRINDING COMPOUND, 2OZ (57G)
- 英文名称:Silicon carbide
- CAS No:409-21-2
- EINECS号:206-991-8
- 分子式:CSi
- 产品类别:无机化工
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碳化硅晶须
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CAS：409-21-2
英文名称：Silicon carbide powder , whisker (β-SiC)
纯度：Φ
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纳米碳化硅晶须，碳化硅纳米线，碳化硅纤维
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CAS：409-21-2
英文名称：Silicon carbide powder
纯度：99.9%
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碳化硅晶须
黄金产品
CAS：409-21-2
英文名称：Silicon carbide whiskers
纯度：99%m直径600nm，长度50-100μm
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用途
SiC晶须已广泛用于增韧金属基、陶瓷基和聚合物基复合材料。