硒化锗
中文名称:硒化锗
英文名称:GERMANIUM SELENIDE
CAS号:12065-10-0
分子式:GeSe
分子量:151.6
EINECS号:235-061-4
Mol文件:12065-10-0.mol
硒化锗 性质
| 熔点 | 670 °C(lit.) |
|---|---|
| 密度 | 5.6 g/mL at 25 °C(lit.) |
| 形态 | 灰色斜方晶体或棕色粉末 |
| 颜色 | gray orthorhombic crystals, crystalline or brown powder |
| EPA化学物质信息 | Germanium selenide (GeSe) (12065-10-0) |
硒化锗 用途与合成方法
硒化锗一种正交晶系离子性晶体，具有稳定的半导体性能。硒化锗可由GeCl2与H2Se反应可制得。纯净的GeSe是由Ge粉末与Se粉末按合适比例熔合得到的。
图：硒化锗 根据晶型结构分类，可分为：α-GeSe β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe硒化锗五种单层晶型，它们均表现出稳定的半导体特性。不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe晶型结构是间接带隙半导体材料,而α-GeSe是直接带隙半导体. β-GeSe单层材料适用于光催化分解水。 [1] http://www.chazidian.com/baike/477878/
[2] 张胜利, 刘尚果, 黄世萍,等. 单层硒化锗多形体的结构特性和电子性质[J]. Science China Materials, 2015(12).
图：硒化锗 根据晶型结构分类，可分为：α-GeSe β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe硒化锗五种单层晶型，它们均表现出稳定的半导体特性。不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe晶型结构是间接带隙半导体材料,而α-GeSe是直接带隙半导体. β-GeSe单层材料适用于光催化分解水。 [1] http://www.chazidian.com/baike/477878/
[2] 张胜利, 刘尚果, 黄世萍,等. 单层硒化锗多形体的结构特性和电子性质[J]. Science China Materials, 2015(12).
生产方法
由GeCl2与H2Se反应可制得GeSe。纯净的GeSe是由Ge粉末与Se粉末按合适比例熔合得到的。
安全信息
| 危险品标志 | T,N |
|---|---|
| 危险类别码 | 23/24/25-33-36/37/38-50/53-23/25 |
| 安全说明 | 26-28-36/37/39-45-61-60-20/21 |
| 危险品运输编号 | UN 3283 6.1/PG 3 |
| WGK Germany | 3 |
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中文名称：硒化锗
英文名称：Germanium(II) Selenide
CAS：12065-10-0
纯度：99.99% metals basis
包装信息：5g
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中文名称：硒化锗
英文名称：germaniumselenide
CAS：12065-10-0
纯度：98%
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英文名称：GERMANIUM SELENIDE
CAS：12065-10-0
纯度：98%
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中文名称：硒化锗
英文名称：GERMANIUM SELENIDE
CAS：12065-10-0
纯度：99%
包装信息：5g；25g；100g；500g
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中文名称：硒化锗(II)
英文名称：Germanium(II) selenide（GeSe）
CAS：12065-10-0
纯度：99.99%
包装信息：500G;1KG
备注：kg
