硫化铟

硫化铟是一种具有极高潜在利用价值的半导体材料，可作为CIGS薄膜太阳能电池的缓冲层材料，并有望作为Cds缓冲层的替代材料，在光伏与光电器件上有很好的应用前景。硫化铟作为低危害性缓冲材料，具有宽带隙（2.2 eV）和易合金化条件等特性，可作为纯红色 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 量子点的壳层候选材料。在常温常压下比较稳定，属于立方晶系，具有四面体和八面体的空间结构，并存在高密度的In空位。 一般存在α、β、r 3种相，常温下稳定的为β 相。 硫化铟又称三硫化二铟，铟的硫化物之一，红色立方晶体或黄色片状晶体。化学式为In2S3，相对分子质量325.83。相对密度4.90。熔点1050℃。真空850℃升华。非挥发性。不溶于水。不水解。溶于盐酸、硝酸、硫化钠溶液，具有较大的负电阻系数。可在热敏电阻，整流器，光导材料等方面应用。
在常温常压下比较稳定，硫化铟属于立方晶系，具有四面体和八面体的空间结构，并存在高密度的In空位。 一般存在α、β、r 3种相，常温下稳定的为β 相。

硫化铟的三种不同的晶型,即α-In2S3(缺陷立方)、β-In2S3(缺陷尖晶石,以立方或四方的结构形式存在)和γ-In2S3(层状六方)。β-In2S3的带隙约在2.0-2.3eV左右,是一种很有应用潜力的光电材料。 每100毫升水中的溶解克数:
2.867×10-14/20℃ 硫化铟用作材料科学。用于半导体材料，原子吸收光谱测定。制造低熔点合金，轴承合金，颜色玻璃。可作电子工业材料、半导体掺杂源。
硫化铟因高氧化态In位点对CO2吸附活化的增强作用和S元素对质子供给的促进作用，成为CO2RR制甲酸盐的理想候选材料。

硫化铟（In2S3）作为一种具有窄带隙和强还原能力的还原型光催化剂表现出优异的性能，但由于单组分催化剂中光生电子与空穴的快速复合，其实际效率受限。
金属硫化铟由于其独特的电子结构、可调的原子构型和优异的光电性能在光催化领域引起了广泛的兴趣。

将装有三氧化二铟的刚玉小盘放入石英管中，在通入经干冰液化提纯的硫化氢的条件下，将反应管加热至500℃保持5h，再升温至700℃保持8h。产物即为红色三硫化二铟，熔融后变为有光泽的黑色产物。该产物为β-In2S3的高温变型产物。而低温变型产物α-In2S3可由下法制取：即往溶于乙酸乙酸盐缓冲水溶液的三价铟盐溶液中，通入硫化氢，将生成的沉淀于100℃以下的温度下，在P2O5上进行真空干燥即得。但是难以制得纯品。

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