硒化铟

中文名称:硒化铟
英文名称:INDIUM SELENIDE
CAS号:12056-07-4
分子式:In2Se3
分子量:466.52
EINECS号:235-016-9
Mol文件:12056-07-4.mol
硒化铟 结构式

硒化铟 性质

熔点 890°C
密度 5.67 g/mL at 25 °C(lit.)
形态 块状
颜色 银灰
水溶解性 Insoluble in water.
暴露限值 ACGIH: TWA 0.1 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3
NIOSH: IDLH 1 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3
InChI 1S/2In.3Se
InChIKey VSXOUQNLLPQTQK-UHFFFAOYSA-N
SMILES [Se]=[In][Se][In]=[Se]
CAS 数据库 12056-07-4(CAS DataBase Reference)
EPA化学物质信息 Indium selenide (In2Se3) (12056-07-4)

硒化铟 用途与合成方法

硒化铟是一种无机化合物,化学式为In2Se3。其为黑色晶体或暗黑色鳞片状物质,是典型的二维层状半导体材料。通过In-Se熔融体的X射线衍射研究指出有五种二元化合物,In4Se3、InSe、In6Se7、In3Se4、In2Se3。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五种晶体结构。

1.jpg

铟硒化物又叫硒化铟。硒化铟是典型的二维层状半导体材料,带隙范围为1.24-1.54eV,具体的带隙范围取决于层数。硒化铟薄膜具有优异的电子和光电特性。对于硒化铟物理性质的研究已经付出了相当大的努力。已有报道已经证明,暴露于环境条件下的二维材料器件由于界面引起的额外的散射而显著的降低了载流子迁移率。 高k电介质可以有效的屏蔽二维场效应晶体管的库伦杂质散射(CI)。多层硒化铟晶体管显示出高场效应迁移率,AlO电介质可以降低库伦散射。硒化铟场效应晶体管的电学稳定性在实际应用中起着至关重要的作用,而电学稳定性体现在传输特性的滞后作用中。

安全信息

危险品标志T,N
危险类别码23/25-33-50/53
安全说明20/21-28-45-60-61
危险品运输编号UN 3283 6.1/PG 3
WGK Germany3
TSCATSCA listed
危险等级6.1
包装类别III
海关编码2842901090
存储类别6.1C - 可燃,急性毒性 类别3
毒性化合物或者引起慢性影响的化合物
危险性类别急性毒性 类别3 吸入
急性毒性 类别3经口
危害水生环境-急性危害 类别1
危害水生环境-长期危害 类别1
特异性靶器官毒性-反复接触类别2

MSDS信息

语言:English
提供商:SigmaAldrich
语言:Chinese
提供商:ALFA
语言:English
提供商:ALFA

硒化铟 价格(试剂级)

更新日期 产品编号 产品名称 CAS号 包装 价格
2026-07-06 088280 硒化铟(III), 99.99% (metals basis) 12056-07-4 5g 1628
2025-05-22 088280 硒化铟(III), 99.99% (metals basis) 12056-07-4 25g 5878

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拓元(潍坊)新材料科技有限公司
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中文名称:硒化铟
英文名称: INDIUM SELENIDE
CAS:12056-07-4
纯度:大货/高端定制
库存量:101000kg
现货日期:2026/9/20 12:12:45
武汉易泰科技有限公司上海分公司
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中文名称:铟硒化物
英文名称:INDIUM SELENIDE
CAS:12056-07-4
纯度:99% HPLC
包装信息:1Mg ; 5Mg;10Mg ;100Mg;250Mg ;500Mg ;1g;2.5g ;5g ;10g
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中文名称:硒化铟(III), 99.99% (metals basis)
英文名称:IndiuM(III) selenide, 99.99% (Metals basis)
CAS:12056-07-4
包装信息:5g
备注:088280
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中文名称:硒化铟
英文名称:INDIUM SELENIDE
CAS:12056-07-4
纯度:99.9% trace metals basis
包装信息:1g;5g;25g;100g;1ea
备注:NULL
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中文名称:硒化铟(III)
英文名称:Indium selenide
CAS:12056-07-4
纯度:块状
包装信息:1g/RMB 71.90;5g/RMB 282.90;25g/RMB 1071.90

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宝鸡福诺康实业有限公司 2026-09-28
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