氮化硼纳米管

氮化硼纳米管 (BNNT) 最早在1995年由乔普拉•N. G.（Chopra N. G.）等人在实验中发现。与层状石墨和碳纳米管相比，层状氮化硼结构的热学性能和化学性能都更加稳定，同时，经研究发现，由氮化硼纳米管聚合物制成的复合材料，具有防穿透器穿透和高耐磨的作用。BNNT具有高达400 ~W m^-1.k^-1的热导率和~5.5 eV的直接带隙，是理想的电子封装隔热材料。鉴于其较大的带边吸收系数（7.5 × 105 cm^-1）和氢气吸附能力（4.2 wt%），也适合用于制造深紫外光电探测器和氢气储存。

氮化硼纳米管的制备过程，主要包括电弧放电、取代反应、化学气相沉积、高能球磨、激光烧蚀等。其化学气相沉积（CVD）是目前使用最广泛的纳米管制备技术，由于其产率高且操作简便，是制备BNNT的主要方法之一。制备方法如下：
采用CVD法制备BNNT至今，其发展可分为三个阶段：第一个阶段是采用B、MgO和FeO作为高效制备BNNT的前驱物，在感应电炉中制备BNNT，这种方法被称为硼氧化物化学气相沉积技术（BOCVD）。第二阶段是采用传统的卧式管式炉取代感应电炉。不改变前物的情况下，用特定的前驱物比例（2:1:1，4:1:1）在Si/SiO2衬底上制备BNNT，整个过程被称为热化学气相沉积技术（TCVD）。第三个阶段，TCVD技术进一步被简化，用氩气作为反应气体来替代真空，该方法被称为Ar辅助TCVD。这种简化不仅降低了设备的复杂性和成本，而且由于Ar的抗氧化性促进了较长BNNT的生长。除了上述的需要含氧试剂作为前驱物的CVD法，近年还出现了采用不含有氧和碳的试剂（MgF2，NH4Cl，and B）制备BNNT的方法。