ChemicalBook CAS数据库列表 硒化铟
硒化铟
- CAS号:12056-07-4
- 英文名:INDIUM SELENIDE
- 中文名:硒化铟
- CBNumber:CB0342801
- 分子式:In2Se3
- 分子量:466.52
- MOL File:12056-07-4.mol
硒化铟化学性质
- 熔点 :890°C
- 密度 :5.67 g/mL at 25 °C(lit.)
- 形态 :lumps
- 颜色 :Silver-gray
- 水溶解性 :Insoluble in water.
- 暴露限值 :ACGIH: TWA 0.1 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3
NIOSH: IDLH 1 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3 - CAS 数据库 :12056-07-4(CAS DataBase Reference)
- EPA化学物质信息 :Indium selenide (In2Se3) (12056-07-4)
安全信息
- 危险品标志 :T,N
- 危险类别码 :23/25-33-50/53
- 安全说明 :20/21-28-45-60-61
- 危险品运输编号 :UN 3283 6.1/PG 3
- WGK Germany :3
- TSCA :Yes
- 包装类别 :III
- 海关编码 :2842901090
硒化铟性质、用途与生产工艺
-
理化性质
硒化铟是一种无机化合物，化学式为In2Se3。其为黑色晶体或暗黑色鳞片状物质，是典型的二维层状半导体材料。通过In-Se熔融体的X射线衍射研究指出有五种二元化合物，In4Se3、InSe、In6Se7、In3Se4、In2Se3。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五种晶体结构。
- 应用 铟硒化物又叫硒化铟。硒化铟是典型的二维层状半导体材料，带隙范围为1.24-1.54eV，具体的带隙范围取决于层数。硒化铟薄膜具有优异的电子和光电特性。对于硒化铟物理性质的研究已经付出了相当大的努力。已有报道已经证明，暴露于环境条件下的二维材料器件由于界面引起的额外的散射而显著的降低了载流子迁移率。
- 作用 高k电介质可以有效的屏蔽二维场效应晶体管的库伦杂质散射(CI)。多层硒化铟晶体管显示出高场效应迁移率，AlO电介质可以降低库伦散射。硒化铟场效应晶体管的电学稳定性在实际应用中起着至关重要的作用，而电学稳定性体现在传输特性的滞后作用中。
硒化铟上下游产品信息
上游原料
下游产品
硒化铟 试剂级价格
- 更新日期：2024/11/08
- 产品编号：088280
- 产品名称：硒化铟(III), 99.99% (metals basis) Indium(III) selenide, 99.99% (metals basis)
- CAS编号：12056-07-4
- 包装：5g
- 价格：1748元
- 更新日期：2024/11/08
- 产品编号：088280
- 产品名称：硒化铟(III), 99.99% (metals basis) Indium(III) selenide, 99.99% (metals basis)
- CAS编号：12056-07-4
- 包装：25g
- 价格：6187元
硒化铟生产厂家
- 公司名称：Nano Research Elements
- 联系电话：--
- 电子邮件：
- 国家：印度
- 产品数：101
- 优势度：58
- 公司名称：Intelligent Materials Private Limited
- 联系电话：--
- 电子邮件：
- 国家：印度
- 产品数：196
- 优势度：58
- 公司名称：Aritech Chemazone Private Limited
- 联系电话：--
- 电子邮件：info@chemazone.in
- 国家：印度
- 产品数：684
- 优势度：58
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