12024-14-5
中文名称
碲化镓
英文名称
GALLIUM TELLURIDE
CAS
12024-14-5
分子式
GaH2Te
分子量
199.34
MOL 文件
12024-14-5.mol
更新日期
2026/09/07 13:09:58
结构式
基本信息
中文别名
碲化镓
一碲化镓
碲化镓GATE
碲化镓(II)
碲化镓(II), 痕量分析
碲化镓, 99.999% (METALS BASIS)
碲化镓(II), 99.999% (METALS BASIS)
一碲化镓
碲化镓GATE
碲化镓(II)
碲化镓(II), 痕量分析
碲化镓, 99.999% (METALS BASIS)
碲化镓(II), 99.999% (METALS BASIS)
英文别名
GALLIUM TELLURIDE
II)GALLIUM TELLURIDE
GALLIUM(II) TELLURIDE
Gallium monotelluride
galliumtelluride(gate)
Gallium(II) telluride lump
Gallium(II) telluride (GaTe)
Gallium(II) telluride 99.999%
GALLIUM TELLURIDE ISO 9001:2015 REACH
Cobalt Silicide (CoSi2) Sputtering Targets
II)GALLIUM TELLURIDE
GALLIUM(II) TELLURIDE
Gallium monotelluride
galliumtelluride(gate)
Gallium(II) telluride lump
Gallium(II) telluride (GaTe)
Gallium(II) telluride 99.999%
GALLIUM TELLURIDE ISO 9001:2015 REACH
Cobalt Silicide (CoSi2) Sputtering Targets
所属类别
无机化工:硫族化合物
物理化学性质
| 熔点 | 824°C |
| 密度 | 5.440 |
| 形态 | 单斜晶体 |
| 颜色 | monoclinic crystals, crystalline |
| 水溶解性 | Insoluble in water. |
| 敏感性 | 湿气敏感 |
| 暴露限值 | ACGIH: TWA 0.1 mg/m3 NIOSH: IDLH 25 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3 |
| EPA化学物质信息 | Gallium telluride (GaTe) (12024-14-5) |
安全数据
| 危险性符号(GHS) | ![]() GHS07 |
| 警示词 | 警告 |
| 危险性描述 | H302+H312+H332 |
| 防范说明 | P260-P280-P301+P312 |
| 危险品标志 | Xn |
| 危险类别码 | 22-36/37/38 |
| 安全说明 | 22-24/25 |
| TSCA | Yes |
| 海关编码 | 2853909090 |
常见问题列表
简介
碲化镓(GaTe)中阳离子空位对晶体管性能的影响机制,并且通过抑制这种作用,获得了一种高性能的光电晶体管器件。GaTe是一个重要的III-VI族半导体层状化合物材料,直接带隙约1.7eV,在光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域极具应用研究价值。然而由于其复杂的单斜晶体结构及晶体的高度各向异性,使其在样品制备及器件加工方面存在一定的困难,目前少有关于GaTe纳米片的光电性能研究。
制备
一种二维碲化镓材料的制备方
法,其特点是采用以下步骤:步骤一、采用垂直布里奇曼晶体生长法,将Ga:Te按物质的量比1:1进行配料,制备GaTe单晶体。步骤二、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内,选取大块表面光
滑无褶皱的GaTe体材料,并沿自然解理面将其分离为多块。步骤三、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内,使用思高胶带从表层光亮、损伤较小的GaTe块体材料表面撕离一块厚度约为6-8μm的GaTe薄片。步骤四、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内,将带有GaTe薄片的思高胶带多次粘合分离,直至胶带表面不再光亮,成功附着较为密集的数百纳米厚度的GaTe片层。
碲化镓价格(试剂级)
| 报价日期 | 产品编号 | 产品名称 | CAS号 | 包装 | 价格 |
| 2026/07/06 | 041881 | 碲化镓(II), 99.999% (metals basis) Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis) | 12024-14-5 | 5g | 4292元 |
| 2025/05/22 | 041881 | 碲化镓(II), 99.999% (metals basis) Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis) | 12024-14-5 | 1g | 946元 |
| 2025/05/22 | XW120241451 | 碲化镓(II) | 12024-14-5 | 1G | 85元 |
供应商信息 更多
拓元(潍坊)新材料科技有限公司
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13940155665
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中文名称:碲化镓
英文名称:GALLIUM TELLURIDE
CAS:12024-14-5
纯度:可高端定制
包装信息:1吨;100kg;5KG;1KG
库存量:
101000kg
现货日期:
2026/9/7 13:09:58
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中文名称:碲化镓(II), 99.999% (metals basis)
英文名称:GalliuM(II) telluride, 99.999% (Metals basis)
CAS:12024-14-5
包装信息:1g
备注:041881
山东西亚化学有限公司
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13355009207 13355009207
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中文名称:碲化镓(II)
CAS:12024-14-5
纯度:99.95%
包装信息:25g;100g;500g;1kg
备注:试剂级
上海阿拉丁生化科技股份有限公司
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中文名称:碲化镓(II)
英文名称:Gallium(II) telluride
CAS:12024-14-5
纯度:≥99.95% metals basis
包装信息:5g/RMB 159.90;25g/RMB 384.90
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中文名称:碲化镓
英文名称:Gallium telluride
CAS:12024-14-5
纯度:99.999% (metals basis)
包装信息:1g;5g;25g;100g
备注:BD01113017
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中文名称:碲化镓(II)
英文名称:Gallium(II) telluride
CAS:12024-14-5
纯度:99% HPLC
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中文名称:碲化镓(II)
英文名称:Gallium(II) telluride
CAS:12024-14-5
纯度:99.99% metals basis;99.999% metals basis;99.95% me
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中文名称:碲化镓(II)
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CAS:12024-14-5
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中文名称:碲化镓(II);碲化镓;一碲化镓;碲化镓(II)
CAS:12024-14-5
纯度:>=99.95%
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备注:试剂级
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中文名称:碲化镓(II)
CAS:12024-14-5
纯度:99%+
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中文名称:碲化镓
CAS:12024-14-5
纯度:On Request
包装信息:电询
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英文名称:Gallium(II) telluride
CAS:12024-14-5
纯度:95+%
包装信息:1g;5g;10g
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中文名称:碲化镓
英文名称:GALLIUM TELLURIDE
CAS:12024-14-5
纯度:99%
包装信息:382RMB/1g
上海皓鸿生物医药科技有限公司
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中文名称:碲化镓(II)
英文名称:Gallium(II) telluride
CAS:12024-14-5
纯度:99.999% metals basis
上海先芯新材料科技有限公司
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产品介绍:
中文名称:碲化镓(II)
英文名称:Gallium(II) telluride (GaTe)
CAS:12024-14-5
纯度:99.99%
包装信息:500G;1KG
备注:kg
上海比客新材料科技有限公司
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中文名称:碲化镓
英文名称:Gallium(II) telluride
CAS:12024-14-5
纯度:0.9999
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湖南秉航新材料有限公司
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中文名称:碲化镓4N-6N
英文名称:Gallium Telluride
CAS:12024-14-5
纯度:99%
包装信息:5KG;1KG
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中文名称:碲化镓(II)
英文名称:GALLIUM TELLURIDE
CAS:12024-14-5
纯度:98%
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