Гафний трет-бутоксид 99,
- английское имяHAFNIUM TERT-BUTOXIDE
- CAS №2172-02-3
- CBNumberCB5137143
- ФормулаC16H36HfO4
- мольный вес470.94
- номер MDLMFCD00070458
- файл Mol2172-02-3.mol
| Температура плавления | 2℃ |
| Температура кипения | 90 °C5 mm Hg(lit.) |
| плотность | 1.166 g/mL at 25 °C(lit.) |
| показатель преломления | n |
| Fp | 83 °F |
| растворимость | Soluble in hydrocarbons, reacts with alcohols, ketones, and esters |
| форма | Liquid |
| Удельный вес | 1.166 |
| Гидролитическая чувствительность | 7: reacts slowly with moisture/water |
| Чувствительный | Moisture Sensitive/Light Sensitive |
| Пределы воздействия | ACGIH: TWA 0.5 mg/m3 NIOSH: IDLH 50 mg/m3; TWA 0.5 mg/m3 |
| Справочник по базе данных CAS | 2172-02-3(CAS DataBase Reference) |
| UNSPSC Code | 12352103 |
| NACRES | NA.23 |
| Коды опасности | Xi | |||||||||
| Заявления о рисках | 10-36/37/38 | |||||||||
| Заявления о безопасности | 16-26 | |||||||||
| РИДАДР | UN 1993 3/PG 3 | |||||||||
| WGK Германия | 3 | |||||||||
| TSCA | No | |||||||||
| Класс опасности | 3 | |||||||||
| Группа упаковки | II | |||||||||
| кода HS | 2905190019 | |||||||||
| NFPA 704: |
|
рисовальное письмо(GHS)
-
рисовальное письмо(GHS)
-
сигнальный язык
предупреждение
-
вредная бумага
H315：При попадании на кожу вызывает раздражение.
H319：При попадании в глаза вызывает выраженное раздражение.
H335：Может вызывать раздражение верхних дыхательных путей.
H226：Воспламеняющаяся жидкость. Пары образуют с воздухом взрывоопасные смеси.
-
оператор предупредительных мер
P210：Беречь от тепла, горячих поверхностей, искр, открытого огня и других источников воспламенения. Не курить.
P302+P352：ПРИ ПОПАДАНИИ НА КОЖУ: Промыть большим количеством воды.
P305+P351+P338：ПРИ ПОПАДАНИИ В ГЛАЗА: Осторожно промыть глаза водой в течение нескольких минут. Снять контактные линзы, если Вы ими пользуетесь и если это легко сделать. Продолжить промывание глаз.
Гафний трет-бутоксид 99, химические свойства, назначение, производство
Использование
Hafnium tert-butoxide [Hf(OtBu)4] is a mononuclear; volatile; and highly promising precursor for the deposition of HfO2 and other hafnium doped thin films by vapor deposition techniques. The deposited films show high dielectric constant suitable for semiconductor devices.Общее описание
Atomic number of base material: 72 HafniumГафний трет-бутоксид 99, поставщик
| поставщик | телефон | страна | номенклатура продукции | благоприятные условия |
|---|---|---|---|---|
| +8617732866630 | China | 18147 | 58 | |
| 18871490254 | CHINA | 28172 | 58 | |
| 18503026267 | CHINA | 9636 | 58 | |
| +8617531153977 | China | 5855 | 58 | |
| +86-0551-65418671 +8618949823763 |
China | 34563 | 58 | |
| +86-029-89586680 +86-18192503167 |
China | 7724 | 58 | |
| +1-+1(833)-552-7181 | United States | 52924 | 58 | |
| +8618950047208 | China | 43416 | 58 | |
| +86-0592-6210733 | China | 32343 | 55 | |
| 010-82848833 400-666-7788 |
China | 96815 | 76 |