二硅化钛
- 中文名称:二硅化钛
- 中文别名:硅化钛 ;二硅化钛粉;硅化钛溅射靶, 50.8MM (2.0IN) 直径 X 3.18MM (0.125IN) 厚, 99.5% (METALS BASIS);硅化钛溅射靶, 50.8MM (2.0IN) 直径 X 6.35MM (0.250IN) 厚, 99.5% (METALS BASIS);硅化钛溅射靶, 76.2MM (3.0IN) 直径 X 3.18MM (0.125IN) 厚, 99.5% (METALS BASIS);硅化钛溅射靶, 76.2MM (3.0IN) 直径 X 6.35MM (0.250IN) 厚, 99.5% (METALS BASIS);硅化钛溅射靶,50.8MM(2.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,99.5%(METALSBASIS);硅化钛溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX3.18MM(0.125IN)THICK,99.5%(METALSBASIS)
- 英文名称:TITANIUM SILICIDE
- CAS No:12039-83-7
- EINECS号:234-904-3
- 分子式:Si2Ti
- 产品类别:无机盐
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纳米二硅化钛 超细二硅化钛 TiSi2 微米二硅化钛
CAS：12039-83-7
英文名称：Titanium silicide
纯度：99.9%
包装：1件
¥550
浙江
宁波罗飞纳米科技有限公司
超细硅化钛粉 高纯二硅化钛 微米二硅化钛 TiSi2
CAS：12039-83-7
英文名称：Titanium silicide
纯度：99.9%
包装：1件
¥350
浙江
宁波罗飞纳米科技有限公司
用途
硅化钛（TiSi2）具有非常理想的特性：高的导电性，高的选择性，好的热稳定性，对Si好的吸附性，好的工艺适应性和对硅连接参数的低干扰。因此，在集成电路器件中，硅化钛被广泛应用于金属氧化物半导体（MOS），金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和动态随机存储器（DRAM）的门、源/漏极、互联和欧姆接触的制造当中。