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碳化硅晶须

碳化硅晶须,409-21-2,结构式
  • 中文名称:碳化硅晶须
  • 中文别名:碳化硅/纳米碳化硅;碳化硅结晶块;碳化硅溅射靶,50.8MM(2.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);碳化硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);碳化硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX3.18MM(0.125IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);金刚砂,耐火砂;碳化硅, 600 GRINDING COMPOUND, 2OZ (57G);碳化硅, 400 GRINDING COMPOUND, 2OZ (57G)
  • 英文名称:Silicon carbide
  • CAS No:409-21-2
  • EINECS号:206-991-8
  • 分子式:CSi
  • 产品类别:无机化工

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碳化硅
碳化硅
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CAS:409-21-2
英文名称:Silicon carbide
包装:5g,25g,100g,500g,2.5kg
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上海易恩化学技术有限公司
碳化硅
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CAS:409-21-2
英文名称:silicon carbide
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碳化硅
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CAS:409-21-2
英文名称:SILICON CARBIDE
纯度:99
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碳化硅
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英文名称:Silicon carbide
纯度:99.9% metals basis
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碳化硅
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CAS:409-21-2
英文名称:Silicon carbide
纯度:≥99.9% metals basis
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碳化硅
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CAS:409-21-2
英文名称:Silicon carbide
纯度:99.9% metals basis,5-10um
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碳化硅
碳化硅
CAS:409-21-2
英文名称:siliconcarbide
纯度:98.0%
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碳化硅
碳化硅
CAS:409-21-2
英文名称:Silicon carbide
纯度:99%
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碳化硅
碳化硅
英文名称:Silicon carbide
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碳化硅是极端各向异性生长的晶体,是在碳化硅粒子的基础上通过催化剂作用,沿面生长的短纤维晶体。