八氟丙烷和六氟化硫、四氟化碳用途有什么不同？

做半导体和特气采购时，八氟丙烷（C₃F₈）、六氟化硫（六氟化硫）、四氟化碳（CF₄）经常被放在一起问。它们都是全氟化合物，化学性质稳定、不燃、绝缘性好，但分子骨架不一样，在使用上也会有很大的区别。

先说四氟化碳（CF₄，R14，PFC-14），是微电子工业里用量最大、历史最久的等离子刻蚀气体之一。刻蚀对象以硅、二氧化硅、氮化硅、多晶硅和金属硅化物为主，也用于CVD腔体清洗。它的特点是聚合物倾向低，刻蚀速率中等，对硅的选择比不高，各向异性程度一般。工艺上还经常和其他气体混配，靠调节F/C比来控制刻蚀深度、选择比和侧壁轮廓。除了半导体，CF₄还用作激光混合气、低温制冷剂、检漏示踪气和绝缘冷却介质。

再说六氟化硫，它在半导体之外的用途，比在芯片里的用途名气更大：高压开关、GIS组合电器、变压器和输电设备的绝缘与灭弧介质。六氟化硫绝缘强度高、灭弧能力强、化学惰性好，是电气行业用了几十年的气体。在半导体这边，六氟化硫是深硅刻蚀和MEMS工艺的主力，解离出的氟直接和硅反应生成SiF₄被抽走，做深刻蚀、沟槽和侧壁加工。另外在镁铝合金铸造里除气、作为示踪气体检漏，也都用它。

然后是八氟丙烷，碳含量在三者里最高。碳多意味着等离子体解离后不仅出氟自由基，还能形成较多碳氟聚合物沉积在侧壁上。这层聚合物保护层把侧壁封住，氟只往底部打，刻蚀就能做得又深又直。所以C₃F₈是高深宽比介质刻蚀的关键气，3D NAND深孔、DRAM电容孔、14nm以下先进逻辑的氧化硅图形，主要用它；也用于腔体原位清洗。

三种都是长寿命强温室气体，六氟化硫最高，是受严格管控的排放气体；四氟化碳和八氟丙烷次之。选型是如果是高压开关、变压器、GIS绝缘灭弧，选六氟化硫；通用硅/介质刻蚀、腔体打底清洗、检漏示踪，选四氟化碳；高深宽比氧化硅刻蚀、3D NAND和DRAM深孔、先进逻辑介质图形，选八氟丙烷。

尚澜气体这边，四氟化碳、六氟化硫、八氟丙烷三类全氟气体都有供应，5N存纯度，可以分8L小包装，对于用量不多的客户来说性价比很高，当然大瓶也是可以安排的，可以按需分装，为您的实验保驾护航。

尚澜气体供应特种气体以及稳定同位素：

碳13系列：碳13二氧化碳、碳13一氧化碳、碳13甲烷；

氮15系列：氮15氮气、氮15氨气，氮15一氧化氮；

氧18系列：氧18氧气、氧18一氧化碳、氧18二氧化碳、氧18水（重氧水)

氘代试剂：重水、氘代甲烷、氘代硅烷、氘气、氘化氢等；

特殊同位素：二氟化氙，氦3，硅28、氙124、氙129、镍64等；

特种气体：氦气、五氟化锑、丙二烯、丙炔、环丙烷、三氟化磷、六氟化钨、氪气，氙气，三氟甲磺酸酐、六氟化硫、环氧乙烷、五氟化碘、六氟丙烷、八氟丙烷、氯乙烯、乙炔等，核磁共振添加液氦，同位素混合气混配；

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