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电子级高纯溶剂一站式解决方案 ——G3/G4级品质,赋能半导体与OLED先进制程

发布人:北京百灵威科技有限公司

发布日期:2026/7/16 10:54:18

在半导体与OLED面板制造的微观世界里,纯度即良率,洁净即生命。随着制程不断向14nm、7nm乃至5nm演进,每一滴电子级溶剂的纯度和洁净度,都直接决定着芯片的电性能、可靠性与面板的显示品质。国际半导体设备与材料协会(SEMI)标准将湿电子化学品分为G1至G5五个等级。其中,G3级是先进制程的“合格线”,G4级是高端制造的“标配线”——金属离子含量从G3级的亚ppb级跃升至G4级的ppt级(万亿分之一),颗粒物控制从0.2μm收紧至0.1μm(表1)。

表1 湿电子化学品等级分类、技术指标及应用

产品等级金属杂质(含量)颗粒(粒径 & 数量)控制粒径(μm)主要应用领域
G1
≤ 100 ppb
≤ 25 颗粒/mL(≥5μm)
5 μm
光伏太阳能电池、分立器件、低档元器件
G2
≤ 10 ppb
≤ 25 颗粒/mL(≥1μm)
1 μm
平板显示(FPD)、功率器件、6英寸及以下的硅基芯片
G3
≤ 1 ppb
≤ 25 颗粒/mL(≥0.5μm)
0.5 μm
8英寸硅基芯片、先进封装、部分12英寸芯片
G4
≤ 0.1 ppb(100 ppt)
≤ 20 颗粒/mL(≥0.2μm)
0.2 μm
12英寸(300mm)硅基芯片(线宽 65nm-90nm)
G5
≤ 0.01 ppb(10 ppt)
≤ 5 颗粒/mL(≥0.1μm)
0.1 μm 或更小
12英寸及以上的先进制程芯片(线宽 < 65nm,如28nm、14nm、7nm、5nm)

百灵威为您提供覆盖半导体与OLED全制程的G3/G4级电子级溶剂产品矩阵,以极致纯度护航每一道关键工艺。

 产品优势

全产品线覆盖:从光刻胶溶剂、清洗剂到显影液,一站式满足半导体与OLED制造需求。
G3/G4级品质保障:严格执行SEMI国际标准,金属离子含量低至ppt级,颗粒物控制达0.1μm。
国产化替代先锋:G4及以下通用型产品国产化率已达70%-90%,我们以稳定的供应链与卓越的品质,助力客户降本增效、保障供应安全。
先进制程验证:产品已广泛应用于14nm及以下先进制程芯片制造与OLED高世代线面板生产。

 应用场景

半导体与OLED制造涉及黄光制程、湿法清洗与蚀刻、面板制造及显影剥离四大核心工序,每一道工序对化学品的纯度与洁净度都有严苛要求。不同制程适用的产品系列总结如下(表2):

表2 湿电子化学品在半导体与OLED制程中的应用

应用场景产品名称CAS应用描述我司等级
黄光制程
光刻胶溶剂与清洗
丙二醇甲醚(PGME)
107-98-2
光刻胶配方与边珠去除(EBR)的核心溶剂
G4
丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)
108-65-6
正性光刻胶标准稀释剂
G4
乙酸乙酯(EA)
141-78-6
挥发快、溶解性好,用于光刻胶稀释与精密清洗
G3
乙酸丁酯(n-BA)
123-86-4
光刻胶溶剂与清洗剂
G3
环己烷(CyH)
110-82-7
非极性光刻胶溶剂与清洗去油剂
G3
N-甲基吡咯烷酮(NMP)
872-50-4
对光刻胶具有极强溶解力,是剥离与清洗核心溶剂
G3
湿法清洗与蚀刻
去除"隐形杀手"
异丙醇(IPA)
67-63-0
晶圆最终漂洗首选,14nm以下先进制程必备耗材
G4
甲醇(MeOH)
67-56-1
晶圆清洗,有效去除表面污染物
G4
氨水(NH₃·H₂O)
1336-21-6
RCA标准清洗(SC-1)核心组分
G4
氢氟酸 49%(HF 49%)
7664-39-3
用量最大的湿电子化学品之一,用于清洗与蚀刻
G4
OLED面板制造
纯净度决定器件良率
丙二醇甲醚(PGME)
丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)
107-98-2
108-65-6
光刻胶稀释与剥离,"黄金搭档"
G4
异丙醇(IPA)
67-63-0
ITO玻璃清洗与最终漂洗
G4
N-甲基吡咯烷酮(NMP)
872-50-4
光刻胶剥离核心溶剂
G3
乙酸乙酯/环己烷
(EA/CyH)
141-78-6
110-82-7
光刻胶稀释与精密清洗
G3
显影与剥离
精准图形转移
四甲基氢氧化铵 25%(TMAH 25%)
75-59-2
光刻工艺中无可替代的碱性显影液
G3
乙二醇(EG)
107-21-1
IC、TFT-LCD等制程的清洗及冷却剂
G3
三氯乙烯(TCE)
28-86-1
适用于硅器件、大规模集成电路器件的清洗
G3

注:PGME与PGMEA常按7:3或8:2配比联用,是半导体黄光制程不可替代的溶剂组合。G4级产品金属离子含量≤0.1 ppb,颗粒物控制至0.2μm,已在12英寸芯片及OLED高世代线实现规模化应用。

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