南开大学袁明鉴教授团队近期在《自然》杂志上报道了一项重磅突破：通过连续梯度掺杂策略对氧化锡（SnO₂）电子传输层进行精准调控，成功将正式结构（n-i-p）钙钛矿太阳能电池的稳态效率推至27.17% ，开路电压损失低至295 mV。该研究首次揭示了纹理基底上SnO₂/钙钛矿埋底界面的能带失配与电子累积是制约效率的核心物理根源。这一发现为金属氧化物电子传输层的理性设计开辟了全新路径。受此启发，本期我们将聚焦正式结构钙钛矿太阳能电池中电子传输层及相关功能材料的系统解决方案，助力科研人员快速搭建高效器件。
百灵威供应正式结构钙钛矿太阳能电池全流程材料——从SnO₂电子传输层到Spiro-OMeTAD空穴传输层，从高纯前驱体到超干溶剂，助力您复现效率突破、加速器件研发。
产品特点与优势：
电子传输层材料：提供多规格SnO₂纳米分散液（粒径3-6 nm、6-10 nm），涵盖水分散液和有机溶剂分散液体系，适配不同涂布工艺与掺杂需求，是梯度掺杂策略的核心原料
富勒烯及衍生物：提供99.9%高纯C60、C70及PCBM等，可作为ETL修饰层或单独电子传输层，有效钝化界面缺陷
空穴传输层：高纯Spiro-OMeTAD（99.5%）搭配Li-TFSI、tBP等标准掺杂体系，是n-i-p器件的经典HTL方案
钙钛矿前驱体：覆盖FAI（99.99%）、PbI₂（99.999%）、CsI等高纯原料及预合成钙钛矿粉末，支持精准调控组分与带隙
超干溶剂与添加剂：DMF、DMSO、氯苯等超干级别溶剂，以及多种界面钝化剂，保障薄膜质量和器件稳定性
应用场景：
正式结构（n-i-p）钙钛矿太阳能电池：SnO₂基电子传输层是该结构的主流选择
梯度掺杂或能级调控型ETL开发：多规格SnO₂分散液为掺杂浓度梯度设计提供材料基础
高效率认证级器件制备：高纯前驱体与Spiro-OMeTAD体系是效率纪录器件的标准配置
埋底界面优化研究：富勒烯及PCBM可作为ETL与钙钛矿层之间的界面修饰层
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