ReS2 二硫化铼，Rhenium Disulfide，瑞禧：由Re原子层与S原子层交替堆叠而成

中文名：二硫化铼

英文名：Rhenium Disulfide

化学式：ReS₂

层状结构与各向异性特性

二硫化铼的晶体结构由Re原子层与S原子层交替堆叠而成，层间通过范德华力结合。其独特之处在于低对称性的扭曲1T相结构，与常见的2H相二硫化物（如二硫化钼）形成鲜明对比。这种结构赋予ReS₂显著的各向异性：电子输运、光吸收及热传导等性质在不同晶向上表现出明显差异。例如，其电导率在a轴方向比c轴方向高约3倍，光吸收系数在特定偏振方向下可提升50%以上。

产地：西安瑞禧生物

分子量：250.337 g/mol

晶体结构：三斜晶系（Triclinic），晶胞参数为a=0.634 nm、b=0.640 nm、c=0.645 nm，α=106.74°、β=119.03°、γ=89.97°

密度：7.5 g/cm³

带隙类型：直接带隙半导体（块体约1.5 eV，单层约1.6 eV）

用途：科研专用

合成方法与纯度控制

ReS₂的制备需严格控制反应条件以获得高纯度晶体。常见方法包括：

1. 化学气相沉积（CVD）：以三氧化铼（ReO₃）或氯化铼（ReCl₅）为铼源，与硫蒸气在400-850℃下反应，在蓝宝石或氧化硅基底上外延生长单层或多层薄膜。

2. 固相反应法：将ReO₃与硫粉按1:2摩尔比混合，真空封装后于400℃加热24小时，生成纯度＞99.995%的块体晶体。

3. 机械剥离法：通过胶带反复剥离块体晶体，获得单层或少数层ReS₂纳米片，适用于基础研究。

应用领域与器件适配性

ReS₂的弱层间耦合特性使其在多层结构中仍保持类似单层的电子性质，简化了器件制备流程。主要应用方向包括：

1. 光电探测器：利用其偏振敏感的光吸收特性，可检测特定偏振方向的光信号，适用于光通信与成像系统。

2. 场效应晶体管（FET）：n型半导体特性（载流子密度约10¹⁷ cm⁻³）使其成为逻辑电路与传感器件的候选材料。

3. 柔性电子：与聚合物基底兼容性良好，可制备可弯曲的透明电极或应变传感器。

4. 催化反应：作为甲酚氢化反应的催化剂，其活性位点分布于层间边缘，表现出稳定的催化性能。

稳定性与储存要求

ReS₂在常温常压下化学性质稳定，但需避免接触酸性或强氧化性物质。高温环境下（＞180℃）易氧化生成七氧化二铼（Re₂O₇）与二氧化硫（SO₂），因此储存时需保持阴凉干燥，推荐使用惰性气体封装或真空干燥柜。

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