对氰基辛氧基联苯的制备方法

发布日期:2022/5/11 10:47:01

背景及概述^[1]

对氰基辛氧基联苯是一种有机中间体，可由4'-羟基-4-联苯甲腈与1-溴辛烷反应制备得到。

制备^[1]

在氮气下将 1-溴辛烷 (20 mmol, 3.5 mL) 逐滴加入 4'-羟基-4-联苯甲腈 (15.4 mmol, 3 g) 和无水 K2CO3 (14.5 mmol, 2 g) 在 200 mL 无水 DMSO 中的搅拌混合物中大气层。将反应混合物在 110°C 下加热 3 小时。在室温下将反应混合物滴加到 400 mL 的 10% NaOH 溶液中并过滤。真空干燥所得混合物并从乙醇中结晶。真空干燥产物，得到对氰基辛氧基联苯。

应用^[2]

偏光膜是一种重要的光学器件，在光学领域具有重要的应用。

CN202110919451.5提出了一种液晶复合偏光薄膜。根据本发明的实施例，该偏光薄膜包括：液晶分子和0.8～1.2nm的无机亚纳米线，不含其他添加剂，所述无机亚纳米线在所述液晶分子中有序排列。与现有技术相比，该偏光薄膜是由无机亚纳米线和液晶分子均匀混合，有序排列制备得到的，由于组成薄膜的无机亚纳米线沿轴向规整致密的排列及液晶分子的特性，不仅可以使薄膜具有较高的各向异性和双折射性质，而且能够同时对紫外光和可见光进行偏振，且对可见光的吸收率也较高；此外，该偏光薄膜还具有以下优点：可通过刷膜法等工艺制得，不含其他添加剂，不仅制备工艺简单，省时省力，而且结构和性能稳定，不会因为老化而导致偏光性能下降或丧失，对紫外光和可见光均适用，可以作为偏光膜广泛应用于偏光器件。另外，根据本发明上述实施例的液晶复合偏光薄膜还可以具有如下附加的技术特征：在本发明的一些实施例中，所述偏光薄膜中液晶分子的含量为60～90wt％。在本发明的一些实施例中，所述液晶分子包括选自氰基联苯酚、4-庚基-4'-氰基联苯、4'-正辛基-4-氰基联苯、4-氰基-4'-戊基联苯、4-戊氧基-4'-氰基联苯和对氰基辛氧基联苯中的至少一种。