三甲基铟

基本信息

三甲基铟，通常缩写为 TMI 或者 TMIn，是具有式In（CH3)3。它是无色发火固体。与三甲基铝不同，但类似于三甲基镓，TMI是单体的。

制备

三甲基铟可以由三氯化铟和甲基锂反应而成。

InCl3 + 3 LiMe → Me3In.OEt2 + 3 LiCl

性质

相较于三甲基铝和三甲基镓，InMe3 是一种较弱的路易斯酸。它与仲胺和仲膦形成加合物。它和一种三嗪配体 (PriNCH2)3 形成的配合物含有六配位铟， C-In-C 键角为 114°-117°。它与三齿配体形成三个长键，N-In-N 角为 48.6°，长 In-N 键的键长为 278 pm。

结构

处于气态InMe3 苯甲酸酯是单体，具有三角平面结构，在苯溶液中是四聚体。在固态中有两个多晶型物，例如通过升华获得的四方晶相和2005年发现的低密度菱面体相（InMe）。3 从己烷溶液中重结晶。 

呈InMe的四边形形式3 如在苯溶液中那样为四聚体，并且四聚体之间存在桥连以提供无限的网络。每个铟原子是五个坐标，在扭曲的三角形平面配置中，三个最短的键（约216 pm）是在赤道平面上的键，具有更长的轴向键，In-C键和InMe的键合为308 pm。3 单元形成四聚体，In-C用356 pm将四聚体连接成无限网络。 GaMe的固态结构3 和TlMe3 是相似的。与在-32°C下熔融的三乙基铟相比，固态缔合具有89°-89.8°C的高熔点。 

InMe的菱形形式3 由具有12元（InC）的环状六聚体组成6 以延伸的椅子形态响起。六聚体互连成无限网络。铟原子是五个坐标，赤道In-C距离平均为216.7pm，几乎与四方形式的平均值相同，轴向键为302.8pm，连接InMe3 单元变成六聚体，并且313.4 pm将六聚体连接起来，形成无限网络。

在微电子领域的应用

铟是几种化合物半导体的成分，包括InP，InAs，InN，InSb，GaInAs，InGaN，AlGaInP，AlInP和AlInGaNP。这些材料是通过金属有机气相外延（MOVPE）制备的，TMI是铟成分的首选来源。 TMI中的高纯度（纯度为99.9999％或更高）对于许多此类应用至关重要。对于某些材料，在77 K时观察到的电子迁移率高达287,000cm²/ Vs，在300 K时观察到的电子迁移率高达5400cm²/ Vs，背景载流子浓度低至6×1013 厘米−3. 

危险性

三甲基铟会自燃。