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碲化镓

碲化镓,12024-14-5,结构式
碲化镓
  • CAS号:12024-14-5
  • 英文名:GALLIUM TELLURIDE
  • 中文名:碲化镓
  • CBNumber:CB7251382
  • 分子式:GaH2Te
  • 分子量:199.34
  • MOL File:12024-14-5.mol
碲化镓化学性质
  • 熔点 :824°C
  • 密度 :5.440
  • 形态 :monoclinic crystals
  • 颜色 :monoclinic crystals, crystalline
  • 水溶解性 :Insoluble in water.
  • 敏感性 :Moisture Sensitive
  • 暴露限值 :ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
    NIOSH: IDLH 25 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
  • EPA化学物质信息 :Gallium telluride (GaTe) (12024-14-5)
安全信息
  • 危险品标志 :Xn
  • 危险类别码 :22-36/37/38
  • 安全说明 :22-24/25
  • TSCA :Yes
  • 海关编码 :2853909090

碲化镓性质、用途与生产工艺

  • 简介 碲化镓(GaTe)中阳离子空位对晶体管性能的影响机制,并且通过抑制这种作用,获得了一种高性能的光电晶体管器件。GaTe是一个重要的III-VI族半导体层状化合物材料,直接带隙约1.7eV,在光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域极具应用研究价值。然而由于其复杂的单斜晶体结构及晶体的高度各向异性,使其在样品制备及器件加工方面存在一定的困难,目前少有关于GaTe纳米片的光电性能研究。
  • 制备 一种二维碲化镓材料的制备方 法,其特点是采用以下步骤:步骤一、采用垂直布里奇曼晶体生长法,将Ga:Te按物质的量比1:1进行配料,制备GaTe单晶体。步骤二、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内,选取大块表面光 滑无褶皱的GaTe体材料,并沿自然解理面将其分离为多块。步骤三、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内,使用思高胶带从表层光亮、损伤较小的GaTe块体材料表面撕离一块厚度约为6-8μm的GaTe薄片。步骤四、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内,将带有GaTe薄片的思高胶带多次粘合分离,直至胶带表面不再光亮,成功附着较为密集的数百纳米厚度的GaTe片层。
碲化镓上下游产品信息
上游原料
下游产品
碲化镓 试剂级价格
  • 更新日期:2024/11/11
  • 产品编号:XW120241451
  • 产品名称:碲化镓(II)
  • CAS编号:12024-14-5
  • 包装:1G
  • 价格:85元
  • 更新日期:2024/11/08
  • 产品编号:041881
  • 产品名称:碲化镓(II), 99.999% (metals basis) Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis)
  • CAS编号:12024-14-5
  • 包装:1g
  • 价格:1618元
碲化镓生产厂家
  • 公司名称:山东西亚化学有限公司
  • 联系电话:4009903999 13355009207
  • 电子邮件:3007715519@qq.com
  • 国家:中国
  • 产品数:18738
  • 优势度:57
  • 公司名称:北京华美互利生物化工
  • 联系电话:010-56205725
  • 电子邮件:waley188@sohu.com
  • 国家:中国
  • 产品数:12335
  • 优势度:58
  • 公司名称:Alfa Chemistry
  • 联系电话:1-516-6625404
  • 电子邮件:support@alfa-chemistry.com
  • 国家:美国
  • 产品数:9171
  • 优势度:60
  • 公司名称:山东西亚化学有限公司
  • 联系电话:4009903999 13395398332
  • 电子邮件:sales@xiyashiji.com
  • 国家:中国
  • 产品数:20806
  • 优势度:60
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