纳米氮化镓

第三代半导体材料纳米氮化镓试剂级价格

纳米氮化镓

CAS号:25617-97-4
英文名:GALLIUM NITRIDE
中文名:纳米氮化镓
CBNumber:CB00128697
分子式:GaN
分子量:83.73
MOL File:25617-97-4.mol

纳米氮化镓化学性质

熔点 :800 °C (lit.)
沸点 :decomposes at >600℃ [KIR78]
密度 :6.1
折射率 :2.70 (27℃)
形态 :Powder
颜色 :Yellow
水溶解性 :Slightly soluble in hot concentrated sulfuric acid and hot conc. sodium hydroxide. Insoluble in water and dilute acids.
晶体结构 :Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc
敏感性 :Moisture Sensitive
Merck :14,4351
稳定性 :Stability Store under dry argon. Water and moisture sensitive. Incompatible with strong oxidizing agents.
InChI :InChI=1S/Ga.N
InChIKey :JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N
SMILES :N#[Ga]
CAS 数据库 :25617-97-4(CAS DataBase Reference)
EPA化学物质信息 :Gallium nitride (GaN) (25617-97-4)

安全信息

安全说明 :22-24/25
WGK Germany :3
RTECS号 :LW9640000
F :10-21
TSCA :Yes
毒性 :mouse,LDLo,intraperitoneal,5gm/kg (5000mg/kg),Gigiena Truda i Professional'nye Zabolevaniya. Labor Hygiene and Occupational Diseases. Vol. 9(6), Pg. 45, 1965.

纳米氮化镓性质、用途与生产工艺

第三代半导体材料第三代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为代表，是5G时代的主要材料，其中氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的市场和发展空间最大。
氮化镓作为第三代半导体材料，有更高的禁带宽度，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，下游应用包括微波射频器件(通信基站等)，电力电子器件(电源等)，光电器件(LED照明等)。不过，第三代半导体材料中，受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。
实际上，氮化镓（GaN）技术并不是一种新的半导体技术，自1990年起就已经常被用在发光二极管中，但成本昂贵。从制造工艺上来说，氮化镓没有液态，不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶，需要纯靠气体反应合成，而氮气性质非常稳定，镓又是非常稀有的金属（镓是伴生矿，没有形成集中的镓矿，主要从铝土矿中提炼，成本比较高），而且两者反应时间长，速度慢，反应产生的副产物多。生产氮化镓对设备要求又苛刻，技术复杂，产能极低，众多因素叠加影响导致氮化镓单晶材料很贵。
类别有毒物品
毒性分级低毒
急性毒性口服-小鼠LDL0: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LDL0: 5000 毫克/公斤
储运特性库房通风低温干燥
灭火剂干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水