氮化硅
- 中文名称:氮化硅
- 中文别名:氧化镁粘结型氮化硅(IV)溅射靶, 50.8MM (2.0IN) 直径 X 6.35MM (0.250IN) 厚, 99.9% (METALS BASIS);氧化镁粘结型氮化硅(IV)溅射靶, 76.2MM (3.0IN) 直径 X 3.18MM (0.125IN) 厚, 99.9% (METALS BASIS);氧化镁粘结型氮化硅(IV)溅射靶, 76.2MM (3.0IN) 直径 X 6.35MM (0.250IN) 厚, 99.9% (METALS BASIS);氮化硅(IV), Α-相;氮化硅(IV), 99.3% (METALS BASIS), 通常 90% Β-相;氮化硅(IV),Α-相, 99.9% (METALS BASIS);氮化硅(IV), 无定形, 96+%;氮化硅(IV), 无定型, 98.5+%
- 英文名称:Silicon nitride
- CAS No:12033-89-5
- EINECS号:234-796-8
- 分子式:N4Si3
- 产品类别:无机化工
用途
氮化硅是共价化合物，六方晶系，有α-和β -Si3N4两种晶形。分子量140.29。 于1900℃升华分解。不溶于水。是一种新型高温结构材料。氮化硅陶瓷具有高强度、高弹性模量、耐磨、耐氧化、耐腐蚀、抗热冲击等优良性能。除已成为金属切削工具的重要材料外，在许多领域得到应用并有许多潜在的用途。在陶瓷发动机中，用来制备定子、转子、涡形管等部件;氮化硅膜用作微电子技术电绝缘层;氮化硅晶须用于增强氧化铝、碳化硅及玻璃陶瓷基和铝基复合材料。在冶金、化学、机械、电子和军事工业上有广泛的应用。氮化硅陶瓷的烧成可采用硅粉预先成型，然后在通氮的情况下烧结而成(反应烧结法)，是使氮化硅的形成和烧结同时完成;或采用硅粉氮化反应合成氮化硅粉后热压而成 (烧结法)。氮化硅膜是由氯化硅-氨-氢等体系在一定温度下用气相沉积法形成，或采用射频溅射法形成。