碳化硅晶须
- 中文名称:碳化硅晶须
- 中文别名:碳化硅/纳米碳化硅;碳化硅结晶块;碳化硅溅射靶,50.8MM(2.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);碳化硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);碳化硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX3.18MM(0.125IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);金刚砂,耐火砂;碳化硅, 600 GRINDING COMPOUND, 2OZ (57G);碳化硅, 400 GRINDING COMPOUND, 2OZ (57G)
- 英文名称:Silicon carbide
- CAS No:409-21-2
- EINECS号:206-991-8
- 分子式:CSi
- 产品类别:无机化工
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500nm碳化硅晶须
黄金产品
现货
CAS：409-21-2
英文名称：Silicon carbide powder , whisker (β-SiC)
纯度：Φ: 0.5 μm , L: 12 μm
包装：1kg/桶
¥16000
北京
福斯曼科技（北京）有限公司
用途
碳化硅是极端各向异性生长的晶体，是在碳化硅粒子的基础上通过催化剂作用，沿面生长的短纤维晶体。