碲化镉（CdTe）

碲化镉（CdTe）
　　核心技术：1，THM（移动式加热），此工艺适用于CSS（近空间升华技术）制备碲化镉薄膜。
　　2，CVD（气相合成工艺），此工艺适用于印刷，喷涂，溅射等工艺制备碲化镉薄膜。
　　碲化镉（CdTe）
　　1，物理性质：
　　分子量：240.01
　　禁带宽度：1.44 eV
　　折射率：2.57
　　密度：5.85 g/cm3
　　熔点：1092℃
　　沸点：1130℃
　　2，规格：
　　碲化镉：CdTe-05纯度99.999%以上，银，铝，砷，铋，铜，铁，镁，镍，铅，硒，硅，锌杂质总含量小于10ppm；
　　碲化镉：CdTe-06纯度99.9999%以上，银，铝，砷，铋，铜，铁，镁，镍，铅，硒，硅杂质总含量小于1ppm.
　　3，物理性状：黑色块或粉末。
　　4，用途：
　　用于制作红外调制器，HgxCd1-xTe衬底，红外窗场致发光器件，光电池，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，太阳能电池，接近可见光区的发光器件。
　　5，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶封装。