产品规格 (CAT#: LM1002)
Y2HGold Competent Cell: 100μl/支 保存: -80℃(3个月)
pGADT7 (control vector, 10 ng/μl) 10μl 保存:-80℃(12个月)
Carrier DNA (10 μg/μl) 100μl 保存:-20℃(12个月)
PEG/LiAC: 5ml 保存: 4℃(12个月)
Y2HGold感受态细胞基因型
MATa, trp1-901, leu2-3, 112, ura3-52, his3-200, gal4Δ, gal80Δ, LYS2::GAL1UAS-Gal1TATA-His3, GAL2UAS-Gal2TATA-Ade2 URA3::MEL1UAS-Mel1TATA AUR1-C MEL1
Y2HGold感受态细胞产品说明
Y2HGold菌株是Clontech公司开发的GAL4系统酵母双杂实验用菌株,MATa型,可直接转化质粒或与MATα型酵母菌株Y187通过mating操作进行蛋白互作验证或筛库试验。Transformation marker为:trp1,leu2,报告基因为:AbAr,HIS3,ADE2,MEL1。Y2HGold-GAL4 酵母双杂系统需要两种质粒配套使用:pGBKT7和pGADT7。质粒pGBKT7的筛选标志为TRP1,用于表达DNA-BD (来自酵母转录因子GAL4N端1~174位氨基酸)与目标蛋白 (Bait)的融合蛋白;质粒pGADT7 的筛选标志为LEU,用于表达AD(GAL4 C端768 ~881 位氨基酸)与目标蛋白 (Prey)的融合蛋白。GAL4 系统原理:一个完整的酵母转录因子GAL4可分为功能上相互独立的两个结构域:位于N端1~174位氨基酸区段的DNA结合域 (DNA-BD)和位于C端768~881 位氨基酸区段的转录激活域 (AD)。DNA-BD能够识别GAL4-responsive gene的上游激活序列UAS,并与之结合。而AD可以启动UAS下游的基因进行转录。BD和AD单独存在不能激活转录,但当二者接近时,则呈现完整的GAL4活性,使含有UAS的启动子下游基因转录表达。正常条件下,BD不与AD结合,将要检测的蛋白质分别与BD和AD融合,形成 bait融合蛋白 (bait -BD)和 prey融合蛋白 (prey-AD),如果 bait和 prey发生相互作用,就会促使 BD和 AD的相互接近,形成完整的GAL4,从而激活报告基因的转录。Y2HGold有四个报告基因:AbAr,HIS3,ADE2,MEL1,分别由三种不同的启动子 (G1,G2,M1)启动,这三种启动子只有GAL4识别的17 bp核心区相同,其余部分均不同,大大降低了酵母双杂假阳性发生的概率。此外新报告基因AbAr与以前的营养缺陷报告基因相比具有更低背景的优点,也可以降低酵母双杂假阳性发生的概率。Y2HGold感受态细胞经特殊工艺制作,-80℃可保存三个月,pGADT7质粒检测转化效率>104cfu/μg DNA。
Y2HGold感受态细胞操作方法
1. 取100 μl冰上融化的Y2HGold感受态细胞,依次加入预冷的目的质粒2-5 μg,Carrier DNA (95-100度5 min,快速冰浴,重复一次) 10 μl,PEG/LiAc 500μl并吸打几次混匀,30度水浴30 min (15 min时翻转6-8次混匀)。
2. 将管放42℃水浴15 min (7.5 min时翻转6-8次混匀)。
3. 5000 rpm离心 40 s弃上清,ddH2O 400 μl 重悬,离心 30s弃上清。
4. ddH2O 50 μl重悬,涂板,29℃培养48-96 h。
Y2HGold感受态细胞注意事项
1. 感受态细胞在冰上融化。
2. 转化高浓度的质粒可相应减少最终用于涂板的菌量。
3. 同时转化2-3种质粒时可增加质粒的用量。
4. Y2HGold酵母菌株对高温敏感,最适生长温度为27-30℃;高于31℃,生长速度和转化效率呈指数下降。
5. 菌落变粉不是污染,是酵母细胞生长中一个常见现象。当细胞在平板培养几天后,平板上的Adenine被酵母消耗完毕,酵母试图通过自身代谢途径合成Adenine以供利用,然而,有些菌株的ADE2基因被破坏,Adenine合成途径受阻;又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常,所以造成中间产物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在细胞中积累而使菌落变为粉红色。
6. 酵母在缺陷培养基中生长速度比YPDA培养基慢,培养基中缺陷成分越多,生长越慢,以转化涂板为例:涂YPDA平板29℃,48 h培养可见直径1 mm克隆;涂SD单缺平板29℃,48-60 h培养可见直径1 mm克隆,涂SD双缺平板29℃,60-80 h培养可见直径1 mm克隆,涂SD三缺或四缺平板平板29℃,80-90 h培养可见直径1 mm克隆。