二硫化锗

germanium disulfide
12025-34-2

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浙江更新日期：2019-06-26

杭州凯亚达半导体材料有限公司

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产品详情:

中文名称：: 二硫化锗

英文名称：: germanium disulfide

CAS号：: 12025-34-2

纯度规格：: 99.999%

产品类别：: 杭州凯亚达金属化合物

检测：: ICP-MS

包装带：: 三层真空包装或充氩气保护

服务：: 提供免费样品，MSDS及实用的防护措施

应用：: 科研

熔点：: 800℃

二硫化锗（GeS2)
1,物理性质：
白色粉末，正交晶系结构
密度：2.19g/cm3
熔点：800℃。
2，合成工艺：1mol高纯的锗与2mol高纯硫在高温高压下真空熔炼，后续处理后再进行区熔；
3，纯度：5N(99.999%)
3，检测：ICP-MS（所有的杂质元素低于10ppm),XRD(无一硫化锗的杂相）;
4, 包装：三层真空包装或充氩气保护；
5，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
6，应用：科研，具体不详。二硫化锗（GeS2)
1,物理性质：
白色粉末，正交晶系结构
密度：2.19g/cm3
熔点：800℃。
2，合成工艺：1mol高纯的锗与2mol高纯硫在高温高压下真空熔炼，后续处理后再进行区熔；
3，纯度：5N(99.999%)
3，检测：ICP-MS（所有的杂质元素低于10ppm),XRD(无一硫化锗的杂相）;
4, 包装：三层真空包装或充氩气保护；
5，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
6，应用：科研，具体不详。二硫化锗（GeS2)
1,物理性质：
白色粉末，正交晶系结构
密度：2.19g/cm3
熔点：800℃。
2，合成工艺：1mol高纯的锗与2mol高纯硫在高温高压下真空熔炼，后续处理后再进行区熔；
3，纯度：5N(99.999%)
3，检测：ICP-MS（所有的杂质元素低于10ppm),XRD(无一硫化锗的杂相）;
4, 包装：三层真空包装或充氩气保护；
5，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
6，应用：科研，具体不详。

99.999%二硫化锗，二硫化锗，GeS2

公司简介

公司12年来共研制开发出40余项半导体化合物材料：碲系化合物：碲化铜(CuTe)，碲化铟( InTe)，碲化锌(ZnTe)，P/N三碲化二铋(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2)... 硫系化合物：三硫化二镓(Ga2S3)，二硫化锗(GeS2)，硫化锌(ZnS)，硫化锡(SnS)，三硫化二铟(In2S3)，硫化亚铜（Cu2S）... 无氧硒及硒系化合物: 三硒化二镓(Ga2Se3)，硒化亚铜(Cu2Se)，三硒化二铟(In2Se3)，硒化锌(ZnSe)，硒化铋(Bi2Se3)... 氯系化合物：无水三氯化铟(InCl3)，无水三氯化镓(GaCl3)，无水氯化亚铟(InCl)... 氧系化合物： 4N-5N三氧化二镓(Ga2O3)，4N-5N氧化锌(ZnO)，5N-6N 三氧化二铟(In2O3)，5N 三氧化二铋(Bi2O3)，4N-5N 三氧化二锑（Sb2O3）... 铜铟镓硒（CIGS