碲化铋

Bismuth telluride
1304-82-1

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浙江更新日期：2019-06-26

杭州凯亚达半导体材料有限公司

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产品详情:

中文名称：: 碲化铋

英文名称：: Bismuth telluride

CAS号：: 1304-82-1

保存条件：: 10℃

纯度规格：: 99.99%

产品类别：: 杭州凯亚达金属化合物

P型：: 碲化铋掺锑（doped Antimony)

N型：: 碲化铋掺硒（doped Selenium)

应用：: 形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等

技术对接：: 真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端

粒度：: 颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节

分子式：: Bi2Te3

碲化铋：P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

产品详情

品牌/厂家：杭州凯亚达
产品名称：碲化铋
牌号杭州凯亚达
类型：化合物半导体材料
材质：碲化铋
用途：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等
外观：粉末
产地：四川
密度：7.642g/cm3
CAS号：1304-82-1
分子量：800.76
熔点：585 °C
碲化铋：P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

产品详情
品牌/厂家：杭州凯亚达
产品名称：碲化铋
牌号杭州凯亚达
类型：化合物半导体材料
材质：碲化铋
用途：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等
外观：粉末
产地：四川
密度：7.642g/cm3
CAS号：1304-82-1
分子量：800.76
熔点：585 °C

碲化铋，Bismuth telluride，Bi2Te3

公司12年来共研制开发出40余项半导体化合物材料：碲系化合物：碲化铜(CuTe)，碲化铟( InTe)，碲化锌(ZnTe)，P/N三碲化二铋(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2)... 硫系化合物：三硫化二镓(Ga2S3)，二硫化锗(GeS2)，硫化锌(ZnS)，硫化锡(SnS)，三硫化二铟(In2S3)，硫化亚铜（Cu2S）... 无氧硒及硒系化合物: 三硒化二镓(Ga2Se3)，硒化亚铜(Cu2Se)，三硒化二铟(In2Se3)，硒化锌(ZnSe)，硒化铋(Bi2Se3)... 氯系化合物：无水三氯化铟(InCl3)，无水三氯化镓(GaCl3)，无水氯化亚铟(InCl)... 氧系化合物： 4N-5N三氧化二镓(Ga2O3)，4N-5N氧化锌(ZnO)，5N-6N 三氧化二铟(In2O3)，5N 三氧化二铋(Bi2O3)，4N-5N 三氧化二锑（Sb2O3）... 铜铟镓硒（CIGS