半导体刻蚀用纳米氧化钇 50nm

半导体刻蚀设备耐等离子涂层用纳米氧化钇。50nm 一次粒径、99.99% 高纯、放射性 Th/U 严控，在含氟等离子体中成氟化钇保护层的速率远低于氧化铝的消耗速率，腔件寿命成倍延长；超细粒径适合团聚造粒后等离子喷涂，涂层致密、颗粒间结合好，适用于刻蚀腔内壁、喷淋板、静电卡盘与腔盖等易损耗件的国产化配套。

【技术参数】

【技术参数】

外观：白色粉末；Y2O3 含量≥99.99%；晶型：立方相（XRD 定量≥95%）；一次粒径 40-70nm（SEM）；比表面积 12-22 m2/g（BET）；Th+U≤10ppb；Fe≤8ppm；Si≤20ppm；Ca≤10ppm；Cl-≤50ppm；灼烧减量≤0.8%；粒径分布 D90/D10≤3.0。

【质量检测】

SEM 观察一次粒径 45-75nm（100nm 标尺，×50,000，实测 50nm）；XRD 立方 Y2O3 主相；ICP-MS 实测 Th+U 合计 3ppb；团聚造粒后喷涂验证：涂层孔隙率＜3%，结合强度＞40MPa；氟等离子暴露对比：同工况下 Y2O3 涂层侵蚀速率约为氧化铝涂层的 1/5。

【应用案例】

1. 刻蚀腔内壁涂层：团聚粉等离子喷涂，腔件检修周期延长 3 倍以上。

2. 喷淋板与腔盖：涂层表面不粘付氟化副产物，颗粒污染减少。

3. 静电卡盘防护层：薄层涂层不改变静电吸附特性。

4. 透明陶瓷与激光介质前驱体：高纯低放射杂质满足光学级要求。

5. 陶瓷注射成型耐蚀件：造粒后可注射成型异形腔件，烧成致密度 99% 以上。