氧化硅抛光液 MYH-SOP100

氧化硅抛光液 MYH-SOP100

氧化硅抛光液简介

氧化硅抛光液（也称胶态二氧化硅抛光液）是化学机械抛光（CMP）工艺中的核心耗材，核心作用是通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现材料表面高效精密平坦化加工，精准控制材料去除量，确保抛光工件达到高平整度、低损伤的表面加工要求。

高效实现精密平坦化，兼顾去料速率与加工一致性。

“高效精密平坦化” 是行业核心要求，指通过抛光快速去除基材余量的同时，将材料表面粗糙度控制在纳米级范围，实现无划痕、无麻点的均匀加工表面，以实现：

1. 高加工效率：快速完成中抛 / 粗精抛工序，缩短整体加工周期，提升生产产能。

2. 低损伤成型：避免抛光过程对基材造成深度物理损伤，保障后续精抛工序的加工基础。

3. 制程适配性：实现均匀一致的抛光效果，精准匹配后续精抛 / 终抛工序的表面要求，提升整体制程良率。

铭衍海氧化硅抛光液 MYH-SOP100 产品特点

1. 粒度精准：50-60nm分布窄，实现微米级高效去除，无深度划痕。

2. 切削力优：高效研磨各类硬脆材料，快速去除加工余量，抛光效率高。

3. 悬浮稳定：久置不分层、不沉淀、不团聚，批次间性能一致，抛光重复性好。

4. 环保易清洗：水性体系，无重金属残留，无有机难溶成分，纯水可快速冲净。

5. 适配性强：适配半导体、光学、精密陶瓷等多领域中抛 / 粗精抛需求，兼容主流抛光机台与抛光垫。

铭衍海氧化硅抛光液 MYH-SOP100 应用范围

氧化硅抛光液主要用于各类精密硬脆材料与器件的化学机械中抛 / 粗精抛加工，核心作用是高效去除加工余量、实现基材表面初步平坦化、为后续精抛工序奠定基础，适用产品如下：

一、半导体晶圆与衬底（核心应用）

单晶硅 / 多晶硅晶圆粗精抛、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体衬底中抛

半导体封装基板、晶圆级封装器件前期抛光

二、光学晶体与光学器件

蓝宝石衬底（LED / 光学专用）中抛、石英晶体、光学玻璃粗精抛

铌酸锂（LN）/ 钽酸锂（LT）晶体前期抛光、红外光学晶体基础平坦化

三、精密陶瓷与电子器件

氧化锆陶瓷、氧化铝精密陶瓷器件中抛

硬盘基片前期抛光、玻璃盖板粗精抛、精密金属基片表面研磨

四、光通信与特种精密器件

光纤连接器插芯前期研磨、保偏光纤器件基础抛光

微电子机械系统（MEMS）器件基材平坦化、特种石英器件粗精抛

常见类型

专用中抛液：仅用于中抛 / 粗精抛工序，切削力强、去料速率高，适配高效加工需求。

多工序抛光液：兼顾粗抛与中抛，适配简易加工制程，简化操作流程、提升生产效率。

定制化抛光液：可根据客户需求调整粒径、固含量、pH 值，适配特殊硬脆材质 / 工艺抛光。

储存与使用

温度：5℃ ~ 35℃，防冻（<0℃磨粒结块失效）、防高温（>35℃破坏体系稳定性）、防晒避光。

使用前：充分搅拌均匀，确保磨粒分散一致；可原液使用或按 1:1~1:8 比例用去离子水稀释，稀释后再次搅匀。