台湾韩国东进负性光刻胶DNR-L300-40

DNR-L300-40负性光刻胶显影工艺报告

一、光刻胶论述

光刻胶（Photoresist），是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。

光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。

光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形影像加工作业。

二、DNR-L300-40负性光刻胶-组成成分：

丙二醇甲醚醋酸酯：45-55%

环己酮 ：5-15%

树脂：30-40%

三、DNR-L300-40负性光刻胶-工艺条件步骤

1.涂布

2.UV曝光

3.显影成型-影像显现

正胶：DHK-BF511