株洲奥博达新材料 - 5N（99.999%）无水氯化铟/氯化镓 半导体,固态电池材料

株洲奥博达新材料 5N（99.999%）无水氯化铟/氯化镓，适配半导体、固态电池高端制造，品质稳定，交货可控。

5N无水氯化铟（InCl₃）, 纯度达到99.999%（metals basis），超低杂质含量可避免过渡金属离子、碱金属杂质对电解质离子传输通道的阻塞，减少界面副反应的发生。研究表明，高纯度氯化铟制备的Li₃InCl₆电解质，与LiCoO₂正极搭配时，在4.6V电压下循环100次后仍能保持74.6%的容量保持率，而低纯度原料制备的电解质容量衰减速率显著加快。

5N无水氯化镓（GaCl₃），严格遵循半导体材料生产标准，金属杂质总含量≤10ppm，水含量≤50ppm，满足MOCVD工艺对原料的严苛要求。产品兼具优异的化学稳定性与导电性能，是卤化物固态电池电解质的关键原料，同时可作为光学玻璃、催化剂制备的核心组分。