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  • 多晶砷化铟;99.9999%砷化铟;6N砷化铟

多晶砷化铟;99.9999%砷化铟;6N砷化铟

Indium Arsenic
1303-11-3
1000 1000g 起订
500 500g 起订
100 100g 起订
四川 更新日期:2024-11-18

四川六族半导体材料有限公司

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产品详情:

中文名称:
砷化铟;99.9999%砷化铟;6N砷化铟
英文名称:
Indium Arsenic
CAS号:
1303-11-3
品牌:
四川六族半导体
产地:
四川
保存条件:
常温惰性其他保护
纯度规格:
99.9999%
产品类别:
半导体化合物
颜色/外观:
银色
别名:
砷化铟
分子式:
InAs
执行质量标准:
企标
型号:
6N
货号:
05
杂质含量:
<1ppm

多晶砷化铟(InAs)

原子量:189.74

银灰色固体,闪锌矿结构。

熔点:942 ℃

禁带宽度:0.45 eV

密度:5.56 g/cm3(固)

晶格常数:0.605nm

纯度:4N(99.99%)5N(99.999%)6N(99.9999%)

物理性状:块或粉。

用途:主要用作光导,用于制作InAs单晶及蒸镀材料。InAs单晶可制作霍尔器件,磁阻器件,光纤用激光器,探测器,光,电,磁的传感器。

包装:聚乙烯瓶封装。



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公司简介

四川六族半导体材料公司主要生产,研发,销售各种高纯金属,半导体化合物,真空镀膜材料,高致密度溅射靶材等。公司注重技术与市场相结合,做到研有所用,研有所销,用市场带动研发,研发促进市场,形成良性循环。公司的经营理念是:我们提供的不仅仅是材料,而是材料应用的解决方案! 公司拥有各类技术人员12名,技术专家4名,核心团队有近20年行业经验。公司和四川大学,武汉理工大学,昆明理工大学等国内高校和研究所建立长期的技术和人才交流;并在材料分析,基础材料理论,晶体生长,半导体合成等专业领域,为公司研发提供扎实的理论基础和技术支持。 经过多年的研发,生产,沉淀,掌握了20多项自主材料合成的核心技术;如:新型锂电池核心材料硫化锂的制备、声光器件二氧化碲晶体材料的制备、中红外锑化铟单晶的制备、红外硫系玻璃核心材料无氧硒的制备、钙钛矿电池专用的碘化物,溴化物制备等等。以上核心合成工艺在满足高质量的前提下,能规模化,批量化生产,从而降低生产成本,提高产品市场竞争力,为客户,为行业降低工业化成本。

成立日期 (3年)
注册资本 2000万人民币
员工人数 10-50人
年营业额 ¥ 5000万-1亿
经营模式 工厂
主营行业 无机盐,无机化合物,单质元素,高纯试剂

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