氮化硅陶瓷,高压绝缘环护套

 

。（1）氮化硅陶瓷；该氮化硅陶瓷环，绝缘性好、韧性高、耐高温和抗震性好，能够延长其使用寿命，添加的烧结剂有助于致密化；能满足多晶硅还原炉的环境使用要求，使用寿命长，提高工作效率。 技术参数 高纯氮化硅陶瓷 纯度(%) >99 体积密度(g/cm3) >3.20 显气孔率(%) 1200 常温抗弯强度(MPa) 650 高温抗弯强度(MPa) 485(1400℃) 热膨胀系数(×10-6/℃) 3.2 空气中最高使用温度(℃) 1400 保护气氛中最高使用温度(℃) 1800 电阻率1018欧.CM，耐压性

 

 

详细介绍
详细信息： 萍乡市睿泽硅材陶瓷有限公司;提供优质各种规格氮化硅陶瓷,95氧化铝陶瓷,99氧化铝陶瓷，高压绝缘环护套(是单晶硅,多晶硅，还原炉及氢化炉高压绝缘环护套，隔热罩)，是（单晶硅，多晶硅项目）专用新材料产品。（1）氮化硅陶瓷；该氮化硅陶瓷环，绝缘性好、韧性高、耐高温和抗震性好，能够延长其使用寿命，添加的烧结剂有助于致密化；能满足多晶硅还原炉的环境使用要求，使用寿命长，提高工作效率。 技术参数 高纯氮化硅陶瓷 纯度(%) >99 体积密度(g/cm3) >3.20 显气孔率(%) 1200 常温抗弯强度(MPa) 650 高温抗弯强度(MPa) 485(1400℃) 热膨胀系数(×10-6/℃) 3.2 空气中最高使用温度(℃) 1400 保护气氛中最高使用温度(℃) 1800 电阻率1018欧.CM，耐压性能 20000V以上 （2）95, 99氧化铝陶 技术参数 95氧化铝陶瓷 单 位 95氧化铝陶瓷体积密度 g/cm3 >3.50 抗折强度 (MPa) 304 线膨胀系数 20~800°C ×10-6/°C 6.5～8.0 介电常数 1MHz 9～10 10GHz 9～10 介质损耗 1MHz ×10-6 ≤4 10GHz ×10-6 ≤10 比体积电阻 100°C Ω?Cm ＞1013 击穿强度 KV/mm 15 导热系数 20°C W/m?k 25.5 99氧化铝陶瓷单 位 99瓷体积密度 g/cm3 3.7 抗折强度 (MPa) 340 线膨胀系数 20~800°C ×10-6/°C 6.5~8.0 介电常数 1MHz 9~10.5 10GHz 9~10.5 介质损耗 1MHz ×10-6 ≤2.5 10GHz ×10-6 ≤6 比体积电阻 100°C Ω?Cm ＞1013 击穿强度 KV/mm 15 导热系数 20°C W/m?k 25.2

氮化硅陶瓷,高压绝缘环护套