PDPP2T-TT-OD,1444870-74-9

OFET设备性能

Bottom gate top contact device with silane modified SiO2 dielectric.Processing method spin coating; thermal annealing at 140 °C/ 10 min
Semiconductor Type: Mobility: 0.60 cm2/V·sOn/Off Ratio: 10^6 - 10^7

一般描述

PDPP2T-TT-OD是基于噻吩的导电聚合物，其中二酮吡咯并吡咯（DPP）为电子缺陷基团，辛基十二烷基为侧基。其结构含有一个DPP-噻吩和一个可变的联噻吩（2T）。它具有高电荷携带能力，使其可用于开发基于有机电子的设备。

应用

PDPP2T-TT-OD可以用作 π-共轭聚合物，可用于制造各种器件，例如有机薄膜晶体管（OTFT）、光伏电池、聚合物太阳能电池和场效应晶体管（FET）。 Xerox在含有100-300 nm天然SiO2介电质的n-掺杂硅晶片上展示出器件
该介质被十八烷基三氯硅烷自组装单层改性。XSC4p膜通过旋涂（1000 rpm，60秒）0.5–0.7 wt.％的聚合物溶液进行沉积。将薄膜在真空烘箱中于80°C干燥10分钟，
然后在140°C加热退火10分钟。使用荫罩（90微米通道）通过真空蒸发对金源漏极进行沉积。
使用Keithley SCS-4200系统对电气性能进行了表征。所报告的迁移率是四个设备ε的平均饱和迁移率±
标准差