基本信息 产品详情 公司简介 推荐产品
  • 首页
  • 个人中心
  • 委托采购
  • 采购清单
网站主页 磷化镓蚀刻剂GAP 磷化镓蚀刻剂GaP
  • 磷化镓蚀刻剂GaP

磷化镓蚀刻剂GaP

Gallium Phophide ETCH
询价 1加仑 起订
山东 更新日期：2022-05-06

烟台科瑞尔化学科技有限公司

非会员
联系人：范经理
电话：0535-6350522拨打
手机：13280959168 拨打
邮箱：calmstar@163.com

产品详情:

中文名称：
磷化镓蚀刻剂GaP
英文名称：
Gallium Phophide ETCH
保存条件：
常温避光通风保存
产品类别：
蚀刻剂
磷化镓蚀刻剂GaP
(用于光发射二极管)
 
本品用于光发射二极管和带电隔离的阵列中磷化镓的化学控制性蚀刻。
 
特点
 
·产生光滑无痕的表面
·不浸蚀硅、钛光掩膜或波束引导金属膜
·消除表面损伤
·能蚀刻＜100＞和＜111＞晶向
·80℃时蚀刻速率为5密耳/小时
 
说明
 
Transene磷化镓蚀刻剂是设计用于制造光发射二极管和二极管阵列的有效蚀刻剂。它可用来对磷化镓进行化学控制蚀刻制出面式晶体管结构，以满足生产高效率光发射二极管和隔离光发射二极管以产生字母数字显示器的矩阵的需要。在隔离过程中，光发射二极管成型为拱面结构，这是高效电发光装置所必不可少的。这种蚀刻剂与引导波束技术还非常匹配。
Transene磷化镓蚀刻剂对所有晶向都表现很高的蚀刻速率，GaP＜100＞晶向各晶面都可均匀蚀刻，产生一个光滑无痕的表面。而＜111＞向的晶面蚀刻情况有所不同，＜111＞（Ga的 A面）产生光滑的橘皮样面，而＜111＞（P的B面）变得光滑无痕。N型和P型GaP的蚀刻速率彼此相当。
GaP蚀刻剂稳定无毒、廉价易用，可用于磷化镓光发散二极管和波束引导电发光装置。该蚀刻剂不浸蚀Pd、Au和Pt引导波束金属膜，对Ti和SiO2光掩膜的浸蚀性甚微。
 
磷化镓蚀刻剂的性质
 
外观琥珀色液体沸点＞100℃PH13-14冲洗溶剂水蚀刻速率，80℃时，微米/小时 P型＜100＞210N型＜100＞210P型＜111＞ A面（镓）115B面（磷）210匹配性介电材料溅镀或硅烷SiO2匹配性光掩膜材料SiO2， Ti， 4U， KMER匹配性波束引导材料Ti， Pd， Au， Cr， Pt建议操作温度70-80℃蚀刻能力12g/L
 
应用
 
Transene磷化镓蚀刻剂用光发射二极管的多种生产过程。首先用这种蚀刻剂消除机械抛光的P型和N型磷化镓表面上的损伤。接着装置制备按下列步骤进行：
1.    用GaP蚀刻剂和SiO2光掩膜制出面式晶体管构型图。
2.    用光刻技术波束引导金属和接触金属。
3.    用砂轮切割机把GaP晶片分离到个别模中，接着用Transene GaP蚀刻剂进行化学蚀刻。


磷化镓蚀刻剂 蚀刻液;

公司简介

美国Transene蚀刻剂（蚀刻液，腐蚀液）中国供应商。金蚀刻剂8148，TFA；钽蚀刻剂SIE—8607；铝蚀刻剂，A型； 银蚀刻剂TFS；钯蚀刻剂TFP；铬蚀刻剂1020；加HF改进的缓冲剂；BOE； Transene 超声洗涤剂TUD；镍蚀刻剂TFB；氮化钽蚀刻剂；钛蚀刻剂TFT；铜蚀刻剂；镍铬蚀刻剂TFC和TFN；TFM钼蚀刻和TFW钨蚀刻剂；半导体蚀刻剂；氧化锡/铟锡蚀刻剂TE100；

成立日期 (8年)
注册资本 100.000000万
员工人数 10-50人
年营业额 ￥ 100万以内
经营模式 贸易,工厂,试剂,定制,服务
主营行业 化学试剂,医药中间体,合成材料中间体,其他中间体,液晶中间体

磷化镓蚀刻剂GaP相关厂家报价

内容声明
进入官方账号
拨打电话 立即询价