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氮化硅、氮化镓或氧化铝膜的选择性蚀刻剂TRANSETCH — N

TRANSETCH — N
询价 1加仑 起订
山东 更新日期：2022-05-06

烟台科瑞尔化学科技有限公司

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邮箱：calmstar@163.com

产品详情:

中文名称：
氮化硅、氮化镓或氧化铝膜的选择性蚀刻剂TRANSETCH — N
英文名称：
TRANSETCH — N
保存条件：
常温避光通风保存
产品类别：
蚀刻剂


TRANSETCH — N
（氮化硅、氮化镓或氧化铝膜的选择性蚀刻剂）
 
新半导体技术中氮化硅[Si3N4]、氮化镓[GaN]或氧化铝[Al2O3]膜的快速可控蚀刻。
 
独特的优点
 
· 使用方便
· 选择蚀刻氮化硅、氮化镓或氧化铝膜
 · 可反复使用，作用不会随使用而减少
 · 不产生毒性烟雾，不需要使用通风橱
 · 实际上消除了上蚀或下蚀现象
 · 保证硅半导体部件的平面钝化
 
 
说明
 
Transetch—N是用正磷酸制备的纯试剂，它可以在硅或氧化硅存在下实现氮化硅或氧化铝的选择蚀刻。使用它在膜上蚀刻的开口其分辨率和普通平面技术对SiO2所得到的分辨率相当，但同时对暴露的硅和二氧化硅表面基本上没有不良影响。使用它时，对光刻胶、工艺的要求基本上和常惯蚀刻操作过程一样，额外要求很少，而且成本不高。
Transetch—N不含氟化物。与氟化物基的蚀刻剂不同，TRANSETCH—N不造成下蚀现象，因此在选择蚀刻时间方面具有宽的安全活动余地。Transetch—N性质稳定,使用寿命长。
 
物理性质
 
液体无色、无味沸点（释水）180℃比重，20℃1.757蚀刻速率，180℃： 氧化铝120 Å/分氮化硅125 Å/分氮化镓80 Å/分二氧化硅1 Å/分硅1 Å/分
 
 
 
 
 
应用
 
TRANSETCH—N用于以沉积Si3N4和Al2O3为基础的半导体部件的表面钝化新技术。这一新技术可以生产高质量的可靠的半导体产品，尤其有利于MOS和MIS装置的稳定化。实际上消除了逆温层和离子迁移：漏泄电流通路理论；表面状态得到很好控制。
 
 
指导意见
 
TRANSETCH—N能很好应用于作为沉积膜的掩盖层的沉积SiO2的蚀刻层。当刚刚沉积了钝化膜之后，便能很方便地加上SiO2膜层。为此目的1000 Å的厚度通常便足够了。
用通常的工艺过程在光刻胶和沉积SiO2上得到需蚀刻的开口路线的图案。然后用铬酸—硫酸涂膜消除剂去除光刻胶。将去除光刻胶并冲洗过的基片置于煮沸的TRANSETCH—N液中一段时间，以便允许以每分钟100 Å的速率进行蚀刻过程。而后用冲洗掉所有残余的蚀刻液。这里需要注意的是，要将TRANSETCH—N的沸点稳定地保持在180℃。这就需要把其中水的蒸发量控制到最低。随时可以添加少量蒸馏水，以保证TRANSETCH—N液的沸点不超过180℃。



氮化硅、氮化镓或氧化铝蚀刻剂 蚀刻液;

公司简介

美国Transene蚀刻剂（蚀刻液，腐蚀液）中国供应商。金蚀刻剂8148，TFA；钽蚀刻剂SIE—8607；铝蚀刻剂，A型； 银蚀刻剂TFS；钯蚀刻剂TFP；铬蚀刻剂1020；加HF改进的缓冲剂；BOE； Transene 超声洗涤剂TUD；镍蚀刻剂TFB；氮化钽蚀刻剂；钛蚀刻剂TFT；铜蚀刻剂；镍铬蚀刻剂TFC和TFN；TFM钼蚀刻和TFW钨蚀刻剂；半导体蚀刻剂；氧化锡/铟锡蚀刻剂TE100；

成立日期 (8年)
注册资本 100.000000万
员工人数 10-50人
年营业额 ￥ 100万以内
经营模式 贸易,工厂,试剂,定制,服务
主营行业 化学试剂,医药中间体,合成材料中间体,其他中间体,液晶中间体

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