磷化铟

磷化铟性质熔点1070°C密度4,787g/cm3形态pieces颜色Black水溶解性Insolubleinwater.晶体结构Cubic,SphaleriteStructure-SpaceGroupF(-4)3mMerck14,4953CAS数据库22398-80-7(CASDataBaseReference)(IARC)致癌物分类2A(Vol.86)2006EPA化学物质信息Indiumphosphide(InP)(22398-80-7)磷化铟用途与合成方法化学性质磷化铟具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75Mpa。极微溶于无机酸。介电常数：10.8。电子迁移率：约4600cm2/V?s。空穴迁移率：约150cm2/V?s。具有半导体的特性。磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子、光电子功能材料，其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点，被广泛应用于微波及光电器件领域。用途用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1.1～1.6μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。生产方法用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In-PCl3-H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为14cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。在阶段，将盛有铟的石英舟放在电炉中源区，通入氢气并加热到700～850℃，再用氢气将三氯化磷引入，在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。在第二阶段，铟源保持在原位置不加热，单晶衬底放在电炉的第二加温区后，在氢气氛下加热到600～750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀，清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管，并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入，这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应，在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后，向系统中通入纯氢气，将两个温区冷却到室温，取出产物，制得磷化铟成品。类别有毒物品