先进存储芯片技术发展对气体材料的需求及变化

CFM闪存市场的预测数据显示，AI手机的占比将从2024年的10％左右，迅速增长至2025年的30％左右、2026年进一步增长至50％左右。存储正成为支撑AI算力落地的关键底座，发展势头良好，2024年全球存储行业总收入达到了1670亿美元的历史新高。

2024年全球存储芯片市场主要由三星、SK海力士、铠侠、美光和闪迪（旧西部数据）五大厂商主导，它们占据了全球92.7%的市场份额。其中铠侠承担了闪迪的晶圆生产，其产能占据全球闪存芯片市场的份额约30%。

近期，铠侠还宣布了第十代BiCS10（最多可堆叠332层），BiCS10采用更先进的存储阵列，实现更高的堆叠层数、存储密度，以及更高的性能。未来，更高层堆叠与异构集成技术或成主流方向，2030年前后，三星和铠侠都计划向1000层NAND闪存迈进。

堆叠层数的增加会大大增加成本，技术难度较大，蚀刻难度也会迅速增加，蚀刻工艺、金属布线、腔室清洁等工艺对气体材料提出了哪些新的要求求及变化？

日本关东电化公司用于刻蚀工艺的新型电子特气KSG系列“KSG-14”和“KSG-5”已经开始销售，预计截至2026年3月的财年销售额约为40亿日元。目前正考虑量产用于低温蚀刻的“KSG-22”，该产品预计截至2027年3月的财年销售额约为5亿日元。

存储芯片内部大量的数据传输路径需要通过金属布线来实现，钼前驱体有望取代现有的六氟化钨成为下一代金属布线材料，有助于提升NAND闪存的整体性能和可靠性。美光已确认采用这种工艺，据业内人士透露，三星电子自第9代（286层）NAND以来一直在使用钼，从400层的第10代NAND开始，钼的比例有望进一步增加。

铠侠电子（中国）有限公司 采购总监高田祐生先生，采购高级经理廖凯先生将出席4月16日至18日在江苏无锡举办的2025气博会暨第10届国际气体产业大会并作专题分享《先进存储芯片技术发展对气体材料的需求及变化》。

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