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  • 2020-09-11   氮化锗的多形体研究报道
    [简介]ⅢA和ⅣA族元素的氮化物由于具有优异的力学性质和热力学性能,通常可以作为高温结构材料、催化剂、发光二极管和难熔陶瓷来使用。目前的实验和理论研究都主要集中在BN和Si3N4材料上,关于氮化锗(Ge3N4)的研究相对较少。实际上,因为Ge原子比Si原子的载流子迁移率高,所以用锗制造的半导体场效应管具备更加优异的性能。锗原子的半径较大,因此Ge3N4发生相变的临界压强要低于Si3N4的相变压。氮化锗还具