硅化钒新闻专题

硅化物是制备大规模集成电路的关键材料，用它可以作电路的欧姆接触、肖特基势垒和电极引线，超大规模集成电路结深很浅，如64 兆位的超大规模集成电路的PN 结深度浅到200nm ，在如此浅结表面用常规的方法制备电极引线，经常导致PN 结穿通，使电路失效，为此则需要制备薄层硅化物，其中硅化钒是一种最好的选择。近年来，随着高速集成电路发展的要求，制备金属基三极管(MBT)和穿通三极管(PBT)的要求出现，离子注入合成薄层硅化物成了新的热点，但是用常规离子注入机注入合成硅化物，由于引出金属离子种类少，束流弱，效率低。