三氧化钨新闻专题

三氧化钨（化学式：WO3）是钨(VI)的氧化物，是从钨矿制取单质钨工业的重要中间体。该冶炼过程涉及两步：第一步用碱处理钨矿，制得WO3，然后用碳或氢气还原三氧化钨，得到金属钨。

来自兰州城市学院和许昌学院的研究人员报道了以三氧化钨（WO3）纳米晶（NCs）薄膜作为空穴注入层（HIL）的高亮度高效量子点发光二极管。WO3薄膜致密光滑，有利于在绿色QLED中形成HIL。QLED的亮度、电流效率和工作寿命为18560 cdm−2，11.8 cd A−1和11844小时。相关论文以题目为“Sol-gel processed tungsten trioxide nanocrystals layer for efficient hole-injection in quantum dot light-emitting diodes”发表在Thin Solid Films 期刊上。

三氧化钨的结构取决于温度：它在740°C以上为四方晶系、330-740°C为正交晶系、17-330°C为单斜晶系、-50-17°C为三斜晶系。单斜的结构最常见，其空间群为P21/n。

氧化钨既是一种n 型半导体材料，也是一种“d0‘’ 氧化物，这种双重身份使其同时具备诸多特点。它虽然常以非晶、单斜、六方等多种形态存在，但其主体框架均由钨氧八面体首尾相连构成。 根据晶型和周围环境的不同，八面体单元会发生倾斜、旋转等不同方式的畸变，同时还伴随着钨偏离八面体体心的现象。氧空位的存在，会对晶胞、键长、电子结构产生不同程度的影响，导致电荷分布、能隙、化学计量比等发生改变。